Control of surface electronic states for anatase TiO2 thin film by interface engineering
界面工程控制锐钛矿型TiO2薄膜表面电子态
基本信息
- 批准号:15K17470
- 负责人:
- 金额:$ 2.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(11)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
終端面制御したLaFeO3/Nb:SrTiO3ヘテロ接合界面の電子状態
终端表面控制的 LaFeO3/Nb:SrTiO3 异质结界面的电子态
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:簑原 誠人;北村 未歩;三橋 太一;小林 正起;堀場 弘司;組頭 広志
- 通讯作者:組頭 広志
PLD法によるアンチペロブスカイト型酸化物Ca3SnO薄膜の作製
PLD法制备反钙钛矿氧化物Ca3SnO薄膜
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:簑原 誠人 ;湯川 龍 ;組頭 広志
- 通讯作者:組頭 広志
Thickness-dependent physical properties of La1/3Sr2/3FeO3 thin films grown on SrTiO3 (001) and (111) substrates
在 SrTiO3 (001) 和 (111) 基底上生长的 La1/3Sr2/3FeO3 薄膜的厚度相关物理特性
- DOI:10.1063/1.4958670
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:Makoto Minohara;Miho Kitamura;Hiroki Wadati;Hironori Nakao;Reiji Kumai;Youichi Murakami;and Hiroshi Kumigashira
- 通讯作者:and Hiroshi Kumigashira
Atomically-engineered epitaxial anatase TiO2 metal-semiconductor field-effect transistors
原子工程外延锐钛矿型 TiO2 金属半导体场效应晶体管
- DOI:10.1063/1.5024418
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:B. S. Y. Kim;M. Minohara;Y. Hikita;C. Bell;and H. Y. Hwang
- 通讯作者:and H. Y. Hwang
Influence of k⊥-broadening on ARPES spectra of the (110) and (001) surfaces of SrVO3 films
k⊥展宽对SrVO3薄膜(110)和(001)表面ARPES光谱的影响
- DOI:10.1103/physrevb.94.125148
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Mitsuhashi;M. Minohara;R. Yukawa;M. Kitamura;K. Horiba;M. Kobayashi;and H. Kumigashira
- 通讯作者:and H. Kumigashira
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Minohara Makoto其他文献
Thickness-dependent surface proton conduction in (111) oriented yttria-stabilized zirconia thin film
(111) 取向氧化钇稳定氧化锆薄膜中厚度依赖性表面质子传导
- DOI:
10.1016/j.ssi.2017.09.003 - 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:
Takayanagi Makoto;Tsuchiya Takashi;Kawamura Kinya;Minohara Makoto;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;Higuchi Tohru - 通讯作者:
Higuchi Tohru
Spectroscopic and theoretical investigation of the electronic states of layered perovskite oxyfluoride Sr2RuO3F2 thin films
层状钙钛矿氟氧化物 Sr2RuO3F2 薄膜电子态的光谱和理论研究
- DOI:
10.1103/physrevb.97.235101 - 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:3.7
- 作者:
Chikamatsu Akira;Kurauchi Yuji;Kawahara Keisuke;Onozuka Tomoya;Minohara Makoto;Kumigashira Hiroshi;Ikenaga Eiji;Hasegawa Tetsuya - 通讯作者:
Hasegawa Tetsuya
Dynamics of Moving Intrinsic Localized Modes in Pairwise Interaction Symmetric Potential Lattices
成对相互作用对称势格中移动本征局域模式的动力学
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Kobayashi Masaki;Yoshimatsu Kohei;Mitsuhashi Taichi;Kitamura Miho;Sakai Enju;Yukawa Ryu;Minohara Makoto;Fujimori Atsushi;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;K. Yoshimura and Y. Doi;Y. Doi and K. Yoshimura - 通讯作者:
Y. Doi and K. Yoshimura
Eu 3価金属化合物EuPd3 におけるJ 多重項励起
Eu 三价金属化合物 EuPd3 中的 J 多重激发
- DOI:
- 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Furuichi Shoto;Tsuchiya Takashi;Minohara Makoto;Kobayashi Masaki;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;Higuchi Tohru;金子耕士,G. Pokharel,A. D. Christianson,竹内徹也,仲村愛,辺土正人,仲間隆男,大貫惇睦 - 通讯作者:
金子耕士,G. Pokharel,A. D. Christianson,竹内徹也,仲村愛,辺土正人,仲間隆男,大貫惇睦
Naフラックス法における炭素添加のNa-Ga融液電気抵抗に与える影響
Na熔剂法中碳添加量对Na-Ga熔体电阻的影响
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Kitamura Miho;Kobayashi Masaki;Sakai Enju;Minohara Makoto;Yukawa Ryu;Shiga Daisuke;Amemiya Kenta;Nonaka Yosuke;Shibata Goro;Fujimori Atsushi;Fujioka Hiroshi;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;糸澤 孝一,Ricksen Tandryo,村上航介,中村幸介,今西正幸,吉村政志,森勇介 - 通讯作者:
糸澤 孝一,Ricksen Tandryo,村上航介,中村幸介,今西正幸,吉村政志,森勇介
Minohara Makoto的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似海外基金
電気化学的な電子状態変調による低原子価・準安定酸化物界面の機能開拓
通过电化学电子态调制开发低价、亚稳态氧化物界面的功能
- 批准号:
24H00480 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
磁気抵抗メモリ応用に向けた酸化物界面を用いた室温におけるスピン流電流変換の実証
使用氧化物界面在磁阻存储器应用中演示室温下的自旋电流转换
- 批准号:
24K17303 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
チタン合金/酸化物界面設計に基づく添加元素の合金化とナノ粒子選択担持
基于钛合金/氧化物界面设计的添加元素合金化和纳米粒子选择性负载
- 批准号:
23K23099 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
強相関酸化物界面設計に基づく電子・結晶構造相転移の独立制御
基于强相关氧化物界面设计独立控制电子相变和晶体相变
- 批准号:
23K13664 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
酸化物界面を用いた高効率スピン流電流変換の実証とスピントロニクスデバイスの創出
演示使用氧化物界面的高效自旋电流转换和自旋电子器件的创建
- 批准号:
22KJ0615 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
サイト選択的分光法を用いた金属微粒子/酸化物界面における触媒反応活性の起源解明
使用位点选择光谱法阐明金属颗粒/氧化物界面催化反应活性的起源
- 批准号:
23750011 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 2.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
第一原理計算とモデル計算の融合による遷移金属酸化物界面の物質設計と物性制御の研究
第一性原理计算与模型计算相结合的过渡金属氧化物界面材料设计与物性控制研究
- 批准号:
09J07811 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 2.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
磁性酸化物界面の定量化と機能設計
磁性氧化物界面的量化和功能设计
- 批准号:
09J08078 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 2.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
酸化物界面における静電ポテンシャルバリア崩壊メカニズムに関する研究
氧化物界面静电势垒塌陷机理研究
- 批准号:
07J11873 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 2.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
単一電子トランジスタ素子による、シリコン/酸化物界面の研究
使用单电子晶体管器件研究硅/氧化物界面
- 批准号:
97F00286 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 2.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows