Control of surface electronic states for anatase TiO2 thin film by interface engineering
Control of surface electronic states for anatase TiO2 thin film by interface engineering
界面工程控制锐钛矿型TiO2薄膜表面电子态
批准号：
15K17470
负责人：
Minohara Makoto
金额：
$2.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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終端面制御したLaFeO3/Nb:SrTiO3ヘテロ接合界面の電子状態
终端表面控制的 LaFeO3/Nb:SrTiO3 异质结界面的电子态
终端表面控制的 LaFeO3/Nb:SrTiO3 异质结界面的电子态
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[簑原 誠人, 北村 未歩, 三橋 太一, 小林 正起, 堀場 弘司, 組頭 広志]
通讯作者：
組頭 広志
PLD法によるアンチペロブスカイト型酸化物Ca3SnO薄膜の作製
PLD法制备反钙钛矿氧化物Ca3SnO薄膜
PLD法制备反钙钛矿氧化物Ca3SnO薄膜
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[簑原 誠人 , 湯川 龍 , 組頭 広志]
通讯作者：
組頭 広志
Thickness-dependent physical properties of La1/3Sr2/3FeO3 thin films grown on SrTiO3 (001) and (111) substrates
在 SrTiO3 (001) 和 (111) 基底上生长的 La1/3Sr2/3FeO3 薄膜的厚度相关物理特性
在 SrTiO3 (001) 和 (111) 基底上生长的 La1/3Sr2/3FeO3 薄膜的厚度相关物理特性
DOI：
10.1063/1.4958670
发表时间：
2016
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[Makoto Minohara, Miho Kitamura, Hiroki Wadati, Hironori Nakao, Reiji Kumai, Youichi Murakami, and Hiroshi Kumigashira]
通讯作者：
and Hiroshi Kumigashira
Atomically-engineered epitaxial anatase TiO2 metal-semiconductor field-effect transistors
原子工程外延锐钛矿型 TiO2 金属半导体场效应晶体管
原子工程外延锐钛矿型 TiO2 金属半导体场效应晶体管
DOI：
10.1063/1.5024418
发表时间：
2018
期刊：
Appl. Phys. Lett.
影响因子：
--
作者：
[B. S. Y. Kim, M. Minohara, Y. Hikita, C. Bell, and H. Y. Hwang]
通讯作者：
and H. Y. Hwang
Influence of k⊥-broadening on ARPES spectra of the (110) and (001) surfaces of SrVO3 films
k⊥展宽对SrVO3薄膜(110)和(001)表面ARPES光谱的影响
k⊥展宽对SrVO3薄膜(110)和(001)表面ARPES光谱的影响
DOI：
10.1103/physrevb.94.125148
发表时间：
2016
期刊：
Phys. Rev. B
影响因子：
--
作者：
[T. Mitsuhashi, M. Minohara, R. Yukawa, M. Kitamura, K. Horiba, M. Kobayashi, and H. Kumigashira]
通讯作者：
and H. Kumigashira
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