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単一電子トランジスタ素子による、シリコン/酸化物界面の研究
使用单电子晶体管器件研究硅/氧化物界面
基本信息
- 批准号：97F00286
- 负责人：
- 金额：$ 1.73万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份：1998
- 资助国家：日本
- 起止时间：1998 至 1999
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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高速通信用包囲ゲート型シリコンナノロッドトランジスタの研究
高速通信用封闭栅硅纳米棒晶体管的研究
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- 批准号：
06216224 - 财政年份：1994
- 资助金额：
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Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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