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Increasing of the ductility on single crystal silicon and its application to microneedle
单晶硅延展性的提高及其在微针中的应用
基本信息
- 批准号：15K17937
- 负责人：
- 金额：$ 2.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（11）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Effect of hydrogen on the mobility of surface defects induced in plasma etching process for silicon
氢对硅等离子刻蚀过程中引起的表面缺陷迁移率的影响
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Nakamura;T. Kim;H. Izumi;S. Kamiya
- 通讯作者：S. Kamiya
反応性イオンエッチングを施した単結晶シリコン表面の機械的性質に及ぼす水素の影響
氢对反应离子蚀刻单晶硅表面机械性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Nagakubo;H. Ogi;H. Ishida;M. Hirao;T. Yokoyama;and T. Nishihara;向山和孝，花木宏修，倉敷哲生;中村克，泉隼人，神谷庄司
- 通讯作者：中村克，泉隼人，神谷庄司
透過型電子顕微鏡を用いた単結晶シリコンの疲労破壊起点の観察
使用透射电子显微镜观察单晶硅的疲劳断裂起源
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：X. Wang;K. Hanaki;T. Kurashiki;K. Mukoyoma;X. Li;泉隼人，喜多俊文，荒井重勇，佐々木勝寛
- 通讯作者：泉隼人，喜多俊文，荒井重勇，佐々木勝寛
単結晶シリコンの疲労過程における結晶すべり変形の電子線誘起電流観察
单晶硅疲劳过程中晶体滑移变形的电子束感应电流观察
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：王旭東;花木宏修;向山和孝;李興盛;倉敷哲生;神谷庄司，金剛英，杉山裕子，泉隼人
- 通讯作者：神谷庄司，金剛英，杉山裕子，泉隼人
Effect of hydrogen on the mobility of surface defects induced in plasma etching process for silicon
氢对硅等离子刻蚀过程中引起的表面缺陷迁移率的影响
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Nakamura;T. Kim;H. Izumi;S. Kamiya
- 通讯作者：S. Kamiya
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Izumi Hayato其他文献
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{{ truncateString('Izumi Hayato', 18)}}的其他基金
Fatigue Lifetime of Micro Mirror on High Torsional Stress and Elucidation of Accelerated Fatigue Phenomena
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$ 2.41万 - 项目类别：
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23K26458 - 财政年份：2024
- 资助金额：
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- 批准号：
23K26647 - 财政年份：2024
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