Gas sensor application of the heterojunction interface in the atomically-thin layered materials
Gas sensor application of the heterojunction interface in the atomically-thin layered materials
原子薄层状材料异质结界面的气敏应用
批准号：
15K21145
负责人：
Tabata Hiroshi
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
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DOI：
10.1016/j.susc.2017.02.002
发表时间：
2017-06-01
期刊：
SURFACE SCIENCE
影响因子：
1.9
作者：
[Osaka, Shun, Kubo, Osamu, Katayama, Mitsuhiro]
通讯作者：
Katayama, Mitsuhiro
Gas-sensing response of graphene/MoS2 van der Waals heterostructure
石墨烯/MoS2范德华异质结构的气敏响应
石墨烯/MoS2范德华异质结构的气敏响应
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Tabata, Y. Sato, K. Oi, T. Asashita, O. Kubo, M. Katayama]
通讯作者：
M. Katayama
Structural and Electronic Properties of Barium-Induced Surfaces on Si(111): Barium Disilicide and Si(111) 2 × 8 Reconstruction
Si(111) 上钡诱导表面的结构和电子性质：二硅化钡和 Si(111) 2 × 8 重建
Si(111) 上钡诱导表面的结构和电子性质：二硅化钡和 Si(111) 2 × 8 重建
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[O. Kubo, T. Otsuka, S. Okasaka, S. Osaka, H. Tabata and M. Katayama]
通讯作者：
H. Tabata and M. Katayama
P(VDF-TrFE)被膜SWNT薄膜のポーリングによる電気特性制御
通过 P(VDF-TrFE) 涂层 SWNT 薄膜的极化控制电性能
通过 P(VDF-TrFE) 涂层 SWNT 薄膜的极化控制电性能
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[田代征久, 田畑博史, 久保理, 片山光浩]
通讯作者：
片山光浩
揮発性化合物検知に向けたSWNTキャパシタの作製と応答特性評価
用于挥发性化合物检测的 SWNT 电容器的制作和响应特性评估
用于挥发性化合物检测的 SWNT 电容器的制作和响应特性评估
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[杉浦知樹, 田畑博史, 久保理, 片山光浩]
通讯作者：
片山光浩
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