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Gas sensor application of the heterojunction interface in the atomically-thin layered materials

原子薄层状材料异质结界面的气敏应用

基本信息

批准号：
15K21145
负责人：
Tabata Hiroshi
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（10）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Unpredicted surface termination of α-Fe2O3(0001) film grown by mist chemical vapor deposition

DOI：
10.1016/j.susc.2017.02.002
发表时间：
2017-06-01
期刊：
SURFACE SCIENCE
影响因子：
1.9
作者：
Osaka, Shun;Kubo, Osamu;Katayama, Mitsuhiro
通讯作者：
Katayama, Mitsuhiro

Gas-sensing response of graphene/MoS2 van der Waals heterostructure

石墨烯/MoS2范德华异质结构的气敏响应

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. Tabata;Y. Sato;K. Oi;T. Asashita;O. Kubo;M. Katayama
通讯作者：
M. Katayama

Structural and Electronic Properties of Barium-Induced Surfaces on Si(111): Barium Disilicide and Si(111) 2 × 8 Reconstruction

Si(111) 上钡诱导表面的结构和电子性质：二硅化钡和 Si(111) 2 × 8 重建

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
O. Kubo;T. Otsuka;S. Okasaka;S. Osaka;H. Tabata and M. Katayama
通讯作者：
H. Tabata and M. Katayama

P(VDF-TrFE)被膜SWNT薄膜のポーリングによる電気特性制御

通过 P(VDF-TrFE) 涂层 SWNT 薄膜的极化控制电性能

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
田代征久;田畑博史;久保理;片山光浩
通讯作者：
片山光浩

揮発性化合物検知に向けたSWNTキャパシタの作製と応答特性評価

用于挥发性化合物检测的 SWNT 电容器的制作和响应特性评估

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
杉浦知樹;田畑博史;久保理;片山光浩
通讯作者：
片山光浩

DOI：
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作者：
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Tabata Hiroshi其他文献

Proton transfer dynamics simulation using full adaptive QM/MM method

使用全自适应 QM/MM 方法进行质子传输动力学模拟

DOI：
发表时间：
2021
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影响因子：
0
作者：
Kubo Osamu;Kinoshita Seijiro;Sato Hitoshi;Miyamoto Koji;Sugahara Ryuji;Endo Satoshi;Tabata Hiroshi;Okuda Taichi;Katayama Mitsuhiro;Hiroshi Watanabe
通讯作者：
Hiroshi Watanabe

Restoration of Oxygen Vacancies on an Anatase TiO<sub>2</sub>(001) Surface with Supersonic Seeded Oxygen Molecular Beam

超声种子氧分子束修复锐钛矿型 TiO<sub>2</sub>(001) 表面氧空位

DOI：
10.1380/vss.65.526
发表时间：
2022
期刊：
Vacuum and Surface Science
影响因子：
0
作者：
Kubo Osamu;Kinoshita Seijiro;Sato Hitoshi;Miyamoto Koji;Sugahara Ryuji;Endo Satoshi;Tabata Hiroshi;Okuda Taichi;Katayama Mitsuhiro;下山絢女，廣森慧太，中島伸夫，間瀬一彦，長谷川巧，小澤健一;勝部大樹，大野真也，稲見栄一，吉越章隆，阿部真之
通讯作者：
勝部大樹，大野真也，稲見栄一，吉越章隆，阿部真之

a-(BETS)2I3 における次の課題

a-(BETS)2I3 的下一个挑战

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kubo Osamu;Kinoshita Seijiro;Sato Hitoshi;Miyamoto Koji;Sugahara Ryuji;Endo Satoshi;Tabata Hiroshi;Okuda Taichi;Katayama Mitsuhiro;Hiroshi Watanabe;藤山茂樹
通讯作者：
藤山茂樹

Temperature dependence of carrier mobility in hydrogenated germanane field-effect transistor with various electrode materials

不同电极材料的氢化锗烷场效应晶体管中载流子迁移率的温度依赖性

DOI：
10.35848/1347-4065/acc49f
发表时间：
2023
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Furusawa Yuya;Kubo Osamu;Yamamoto Riku;Suzuki Yudai;Matsuura Naoki;Hiraoka Yuuki;Tabata Hiroshi;Katayama Mitsuhiro
通讯作者：
Katayama Mitsuhiro

TiO2単結晶を用いたアナターゼ/ルチル相境界の作成と評価

使用 TiO2 单晶创建和评估锐钛矿/金红石相界

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kubo Osamu;Kinoshita Seijiro;Sato Hitoshi;Miyamoto Koji;Sugahara Ryuji;Endo Satoshi;Tabata Hiroshi;Okuda Taichi;Katayama Mitsuhiro;下山絢女，廣森慧太，中島伸夫，間瀬一彦，長谷川巧，小澤健一
通讯作者：
下山絢女，廣森慧太，中島伸夫，間瀬一彦，長谷川巧，小澤健一