Heavy-ion induced current in Tunnel FET

隧道 FET 中的重离子感应电流

基本信息

  • 批准号:
    16K18094
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
LDD構造を用いたトンネルFET ベースCMOS回路においての耐放射線性評価
使用 LDD 结构评估基于隧道 FET 的 CMOS 电路的耐辐射性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Manoharan Muruganathan;Jian Sun and Hiroshi Mizuta;呉 研
  • 通讯作者:
    呉 研
トンネルFET ベースCMOS回路のシングルイベント耐性
基于隧道 FET 的 CMOS 电路的单粒子耐受性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Marek Schmidt;Ahmed Hammam;Manoharan Muruganathan;Shinichi Ogawa and Hiroshi Mizuta;呉 研
  • 通讯作者:
    呉 研
微細SOIデバイスの重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果抑制
微型 SOI 器件中重离子辐照引起的寄生双极效应的抑制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    和田雄友;呉研;高橋芳浩
  • 通讯作者:
    高橋芳浩
The Impact of Tunnel FET on Heavy Ion Induced Transient Effect
隧道 FET 对重离子瞬态效应的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岩﨑 拓哉;Taharh Zelai;Sheng Ye;Harold M. H. Chong;土屋 良重;水田 博;Yan Wu
  • 通讯作者:
    Yan Wu
Formation of Magnesium Silicide for Source Material in Si based Tunnel FET by Annealing of Mg/Si Thin Film Multi-Stacks
通过 Mg/Si 薄膜多层退火形成硅化镁作为硅基隧道 FET 的源材料
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Jothiramalingam Kulothungan;Manoharan Muruganathan;Marek Schmidt and Hiroshi Mizuta;Yan Wu
  • 通讯作者:
    Yan Wu
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  • 通讯作者:
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甘肃骰塞罗饮食对中新世晚期的影响:牙结石中的淀粉颗粒
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  • 通讯作者:
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    $ 2.66万
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