Heavy-ion induced current in Tunnel FET
Heavy-ion induced current in Tunnel FET
隧道 FET 中的重离子感应电流
批准号：
16K18094
负责人：
WU Yan
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
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LDD構造を用いたトンネルFET ベースCMOS回路においての耐放射線性評価
使用 LDD 结构评估基于隧道 FET 的 CMOS 电路的耐辐射性
使用 LDD 结构评估基于隧道 FET 的 CMOS 电路的耐辐射性
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Manoharan Muruganathan, Jian Sun and Hiroshi Mizuta, 呉 研]
通讯作者：
呉 研
トンネルFET ベースCMOS回路のシングルイベント耐性
基于隧道 FET 的 CMOS 电路的单粒子耐受性
基于隧道 FET 的 CMOS 电路的单粒子耐受性
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Marek Schmidt, Ahmed Hammam, Manoharan Muruganathan, Shinichi Ogawa and Hiroshi Mizuta, 呉 研]
通讯作者：
呉 研
微細SOIデバイスの重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果抑制
微型 SOI 器件中重离子辐照引起的寄生双极效应的抑制
微型 SOI 器件中重离子辐照引起的寄生双极效应的抑制
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
日本信頼性学会誌
影响因子：
--
作者：
[和田雄友, 呉研, 高橋芳浩]
通讯作者：
高橋芳浩
The Impact of Tunnel FET on Heavy Ion Induced Transient Effect
隧道 FET 对重离子瞬态效应的影响
隧道 FET 对重离子瞬态效应的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岩﨑 拓哉, Taharh Zelai, Sheng Ye, Harold M. H. Chong, 土屋 良重, 水田 博, Yan Wu]
通讯作者：
Yan Wu
Formation of Magnesium Silicide for Source Material in Si based Tunnel FET by Annealing of Mg/Si Thin Film Multi-Stacks
通过 Mg/Si 薄膜多层退火形成硅化镁作为硅基隧道 FET 的源材料
通过 Mg/Si 薄膜多层退火形成硅化镁作为硅基隧道 FET 的源材料
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Jothiramalingam Kulothungan, Manoharan Muruganathan, Marek Schmidt and Hiroshi Mizuta, Yan Wu]
通讯作者：
Yan Wu
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