Heavy-ion induced current in Tunnel FET
隧道 FET 中的重离子感应电流
基本信息
- 批准号:16K18094
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
LDD構造を用いたトンネルFET ベースCMOS回路においての耐放射線性評価
使用 LDD 结构评估基于隧道 FET 的 CMOS 电路的耐辐射性
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Manoharan Muruganathan;Jian Sun and Hiroshi Mizuta;呉 研
- 通讯作者:呉 研
トンネルFET ベースCMOS回路のシングルイベント耐性
基于隧道 FET 的 CMOS 电路的单粒子耐受性
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Marek Schmidt;Ahmed Hammam;Manoharan Muruganathan;Shinichi Ogawa and Hiroshi Mizuta;呉 研
- 通讯作者:呉 研
微細SOIデバイスの重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果抑制
微型 SOI 器件中重离子辐照引起的寄生双极效应的抑制
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:和田雄友;呉研;高橋芳浩
- 通讯作者:高橋芳浩
The Impact of Tunnel FET on Heavy Ion Induced Transient Effect
隧道 FET 对重离子瞬态效应的影响
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:岩﨑 拓哉;Taharh Zelai;Sheng Ye;Harold M. H. Chong;土屋 良重;水田 博;Yan Wu
- 通讯作者:Yan Wu
Formation of Magnesium Silicide for Source Material in Si based Tunnel FET by Annealing of Mg/Si Thin Film Multi-Stacks
通过 Mg/Si 薄膜多层退火形成硅化镁作为硅基隧道 FET 的源材料
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Jothiramalingam Kulothungan;Manoharan Muruganathan;Marek Schmidt and Hiroshi Mizuta;Yan Wu
- 通讯作者:Yan Wu
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