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H-induced modification of dilute nitride semiconductors and control of N-H atomic bonds

H-induced modification of dilute nitride semiconductors and control of N-H atomic bonds
稀氮化物半导体的 H 诱导改性及 N-H 原子键的控制
批准号：
16K21007
负责人：
Miyashita Naoya
金额：
$2.83万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16K21007/
关键词：
III-V semiconductorDilute nitrideHydrogen modificationSolar cell希釈窒化物半導体III-V族化合物半導体太陽電池窒素水素結合MBEN-H結合

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DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： 何 軼倫，宮下 直也，岡田 至崇
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发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
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影响因子： --
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发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [何 軼倫, 宮下 直也, 岡田 至崇]
通讯作者： 岡田 至崇
共 11 条
    Elucidation of immune response suppression mechanism of transcription factor ASCL1 in lung cancer and its clinical application
    • 批准号：
      19K23981
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
    • 资助金额：
      $1.83万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Miyashita Naoya
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    国内基金
    海外基金
    基于稀氮砷化镓（Dilute nitride GaNAs）的近红外自旋放大纳米线激光器的研究
    • 批准号：
      61905071
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      24.0万元
    • 批准年份：
      2019
    • 负责人：
      陈舒拉
    • 依托单位：
      湖南大学