Three-dimensional distribution control of nitrogen atoms in dilute nitride films using atomic layer epitaxy
Three-dimensional distribution control of nitrogen atoms in dilute nitride films using atomic layer epitaxy
利用原子层外延控制稀氮化物薄膜中氮原子的三维分布
批准号：
20K05346
负责人：
Suzuki Hidetoshi
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性への影響
使用 ALE 方法对有意改变 N 分布的 GaAsN 薄膜进行退火对 N 分布和电性能的影响
使用 ALE 方法对有意改变 N 分布的 GaAsN 薄膜进行退火对 N 分布和电性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中島 凌, 河野 将大, 峰松 遼, 原口 智宏, 鈴木 秀俊]
通讯作者：
鈴木 秀俊
原子層エピタキシー法を用いて意図的にNを制御したGaAsN膜中のN分布評価
使用原子层外延方法评估有意控制 N 的 GaAsN 薄膜中的 N 分布
使用原子层外延方法评估有意控制 N 的 GaAsN 薄膜中的 N 分布
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高木 俊作, 河野 将大, 中島 凌, 鈴木 秀俊]
通讯作者：
鈴木 秀俊
Controlling N distribution in dilute nitride semiconductor materials by atomic layer epitaxy
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批准号：16K17515
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2016
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负责人：Suzuki Hidetoshi
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依托单位：
海外基金
