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Three-dimensional distribution control of nitrogen atoms in dilute nitride films using atomic layer epitaxy
利用原子层外延控制稀氮化物薄膜中氮原子的三维分布
基本信息
- 批准号：20K05346
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（3）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性への影響
使用 ALE 方法对有意改变 N 分布的 GaAsN 薄膜进行退火对 N 分布和电性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：中島 凌;河野 将大;峰松 遼;原口 智宏;鈴木 秀俊
- 通讯作者：鈴木 秀俊
原子層エピタキシー法を用いて意図的にNを制御したGaAsN膜中のN分布評価
使用原子层外延方法评估有意控制 N 的 GaAsN 薄膜中的 N 分布
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：高木 俊作;河野 将大;中島 凌;鈴木 秀俊
- 通讯作者：鈴木 秀俊
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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Observation of Dislocations in Graded Buffer Layers of IMM Single Junction InGaAs Solar Cells by Two-Photon Excitation Photoluminescence
双光子激发光致发光观察IMM单结InGaAs太阳能电池分级缓冲层位错
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2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Ogura Akio;Tanikawa Tomoyuki;Takamoto Tatsuya;Oshima Ryuji;Suzuki Hidetoshi;Imaizumi Mitsuru;Sugaya Takeyoshi - 通讯作者：
Sugaya Takeyoshi
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
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{{ item.doi }} - 发表时间：
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{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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- 批准号：
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- 资助金额：
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- 批准号：
04205069 - 财政年份：1992
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas