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Controlling N distribution in dilute nitride semiconductor materials by atomic layer epitaxy
通过原子层外延控制稀氮化物半导体材料中的N分布
基本信息
- 批准号：16K17515
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（8）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜の電気特性の測定温度依存性
使用 ALE 方法测量有意改变 N 分布的 GaAsN 薄膜电性能的温度依赖性
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：河野 将大;上田 大貴;峰松 遼;原口 智宏;鈴木 秀俊
- 通讯作者：鈴木 秀俊
ALE成長SiドープGaAsN薄膜のアニール処理が比抵抗に与える影響
退火对 ALE 生长的 Si 掺杂 GaAsN 薄膜电阻率的影响
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：横山祐貴;堀切将;原口智宏;山内俊浩;鈴木秀俊;碇哲雄;福山敦彦
- 通讯作者：福山敦彦
原子層エピタキシー法を用いてN分布を意図的に変化させたGaAsN薄膜の作製と評価
利用原子层外延有意改变氮分布的 GaAsN 薄膜的制造和评估
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：上田 大貴;横山 祐貴;原口 智宏;山内 俊浩;鈴木 秀俊
- 通讯作者：鈴木 秀俊
偏光ラマン測定を用いたN分布の異なるGaAsN薄膜の評価
使用偏振拉曼测量评估具有不同 N 分布的 GaAsN 薄膜
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：麻生大輝;和田季己;横山祐貴;堀切将;上田大貴;鈴木秀俊
- 通讯作者：鈴木秀俊
ALE法を用いて作製したGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性の関係
ALE 法制备的 GaAsN 薄膜退火后 N 分布与电性能的关系
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：河野 将大;上田 大貴;原口 智宏;鈴木 秀俊
- 通讯作者：鈴木 秀俊
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Observation of Dislocations in Graded Buffer Layers of IMM Single Junction InGaAs Solar Cells by Two-Photon Excitation Photoluminescence
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- 影响因子：0
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Sugaya Takeyoshi
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