Controlling N distribution in dilute nitride semiconductor materials by atomic layer epitaxy

通过原子层外延控制稀氮化物半导体材料中的N分布

基本信息

  • 批准号：
    16K17515
  • 负责人：
    Suzuki Hidetoshi
  • 金额：
    $ 2.66万
  • 依托单位：
    University of Miyazaki
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（8）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜の電気特性の測定温度依存性
使用 ALE 方法测量有意改变 N 分布的 GaAsN 薄膜电性能的温度依赖性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    河野 将大;上田 大貴;峰松 遼;原口 智宏;鈴木 秀俊
  • 通讯作者：
    鈴木 秀俊
ALE成長SiドープGaAsN薄膜のアニール処理が比抵抗に与える影響
退火对 ALE 生长的 Si 掺杂 GaAsN 薄膜电阻率的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    横山祐貴;堀切将;原口智宏;山内俊浩;鈴木秀俊;碇哲雄;福山敦彦
  • 通讯作者：
    福山敦彦
原子層エピタキシー法を用いてN分布を意図的に変化させたGaAsN薄膜の作製と評価
利用原子层外延有意改变氮分布的 GaAsN 薄膜的制造和评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    上田 大貴;横山 祐貴;原口 智宏;山内 俊浩;鈴木 秀俊
  • 通讯作者：
    鈴木 秀俊
ALE法を用いて作製したGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性の関係
ALE 法制备的 GaAsN 薄膜退火后 N 分布与电性能的关系
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    河野 将大;上田 大貴;原口 智宏;鈴木 秀俊
  • 通讯作者：
    鈴木 秀俊
偏光ラマン測定を用いたGaAsN薄膜のアニール処理が及ぼす影響の評価
使用偏振拉曼测量评估退火对 GaAsN 薄膜的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    和田 季己;橋本 英明;横山 祐貴;前田 幸治;鈴木 秀俊
  • 通讯作者：
    鈴木 秀俊
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    2019
  • 期刊：
    2019 IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ogura Akio;Tanikawa Tomoyuki;Takamoto Tatsuya;Oshima Ryuji;Suzuki Hidetoshi;Imaizumi Mitsuru;Sugaya Takeyoshi
  • 通讯作者：
    Sugaya Takeyoshi

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  • 资助金额：
    $ 2.66万
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