Controlling N distribution in dilute nitride semiconductor materials by atomic layer epitaxy
Controlling N distribution in dilute nitride semiconductor materials by atomic layer epitaxy
通过原子层外延控制稀氮化物半导体材料中的N分布
批准号：
16K17515
负责人：
Suzuki Hidetoshi
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜の電気特性の測定温度依存性
使用 ALE 方法测量有意改变 N 分布的 GaAsN 薄膜电性能的温度依赖性
使用 ALE 方法测量有意改变 N 分布的 GaAsN 薄膜电性能的温度依赖性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[河野 将大, 上田 大貴, 峰松 遼, 原口 智宏, 鈴木 秀俊]
通讯作者：
鈴木 秀俊
ALE成長SiドープGaAsN薄膜のアニール処理が比抵抗に与える影響
退火对 ALE 生长的 Si 掺杂 GaAsN 薄膜电阻率的影响
退火对 ALE 生长的 Si 掺杂 GaAsN 薄膜电阻率的影响
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[横山祐貴, 堀切将, 原口智宏, 山内俊浩, 鈴木秀俊, 碇哲雄, 福山敦彦]
通讯作者：
福山敦彦
原子層エピタキシー法を用いてN分布を意図的に変化させたGaAsN薄膜の作製と評価
利用原子层外延有意改变氮分布的 GaAsN 薄膜的制造和评估
利用原子层外延有意改变氮分布的 GaAsN 薄膜的制造和评估
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[上田 大貴, 横山 祐貴, 原口 智宏, 山内 俊浩, 鈴木 秀俊]
通讯作者：
鈴木 秀俊
ALE法を用いて作製したGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性の関係
ALE 法制备的 GaAsN 薄膜退火后 N 分布与电性能的关系
ALE 法制备的 GaAsN 薄膜退火后 N 分布与电性能的关系
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[河野 将大, 上田 大貴, 原口 智宏, 鈴木 秀俊]
通讯作者：
鈴木 秀俊
偏光ラマン測定を用いたGaAsN薄膜のアニール処理が及ぼす影響の評価
使用偏振拉曼测量评估退火对 GaAsN 薄膜的影响
使用偏振拉曼测量评估退火对 GaAsN 薄膜的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[和田 季己, 橋本 英明, 横山 祐貴, 前田 幸治, 鈴木 秀俊]
通讯作者：
鈴木 秀俊
共 8 条
Three-dimensional distribution control of nitrogen atoms in dilute nitride films using atomic layer epitaxy
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批准号：20K05346
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2020
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负责人：Suzuki Hidetoshi
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依托单位：
海外基金