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Formation mechanism of homologous In2O3(ZnO)m superlattice thin films and their thermal/electrical properties

Formation mechanism of homologous In2O3(ZnO)m superlattice thin films and their thermal/electrical properties
同系In2O3(ZnO)m超晶格薄膜的形成机制及其热/电性能
批准号:
16K21338
负责人:
Jia Junjun
金额:
$2.66万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31

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