Formation mechanism of homologous In2O3(ZnO)m superlattice thin films and their thermal/electrical properties

同系In2O3(ZnO)m超晶格薄膜的形成机制及其热/电性能

基本信息

  • 批准号:
    16K21338
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(17)
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专利数量(0)
In-situ Brouwer analysis on defects in homologous In O (ZnO) films
同系 In O (ZnO) 薄膜缺陷的原位 Brouwer 分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Junjun Jia;Hans Wardenga;Andreas Klein;Yuzo Shigesato
  • 通讯作者:
    Yuzo Shigesato
Technische Universität Darmstadt(Germany)
工业大学
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
放射光を用いたアモルファスIn2O3系薄膜の結晶化に関する評価
使用同步辐射评估非晶 In2O3 薄膜的结晶
アモルファスIGZOトランジスタにおける欠陥構造と電子構造の関係性の解明
阐明非晶IGZO晶体管中缺陷结构与电子结构之间的关系
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    賈軍軍;重里有三
  • 通讯作者:
    重里有三
Phonon Engineering on In2O3-and ZnO-based Thin Films
In2O3 和 ZnO 基薄膜的声子工程
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Junjun Jia;and Yuzo Shigesato
  • 通讯作者:
    and Yuzo Shigesato
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