Formation mechanism of homologous In2O3(ZnO)m superlattice thin films and their thermal/electrical properties
同系In2O3(ZnO)m超晶格薄膜的形成机制及其热/电性能
基本信息
- 批准号:16K21338
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(17)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
In-situ Brouwer analysis on defects in homologous In O (ZnO) films
同系 In O (ZnO) 薄膜缺陷的原位 Brouwer 分析
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Junjun Jia;Hans Wardenga;Andreas Klein;Yuzo Shigesato
- 通讯作者:Yuzo Shigesato
放射光を用いたアモルファスIn2O3系薄膜の結晶化に関する評価
使用同步辐射评估非晶 In2O3 薄膜的结晶
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:賈軍軍;岡島敏浩;重里有三
- 通讯作者:重里有三
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- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:賈軍軍;重里有三
- 通讯作者:重里有三
Phonon Engineering on In2O3-and ZnO-based Thin Films
In2O3 和 ZnO 基薄膜的声子工程
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Junjun Jia;and Yuzo Shigesato
- 通讯作者:and Yuzo Shigesato
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