monitoring of change in plasma impedance caused by particle

监测粒子引起的等离子体阻抗变化

• 批准号: 16K21676
• 负责人: Kasashima Yuji
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-04-01 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16K21676/
• 关键词: プラズマインピーダンス; 微粒子; パーティクル; プラズマエッチング; インピーダンス; エッチング; プラズマ加工; プラズマ・核融合

项目成果

Increase in Size of Flaked Particles Suddenly Generated by Impulsive Force in Mass-production Plasma Etching Equipment

量产等离子蚀刻设备中脉冲力突然产生的片状颗粒尺寸增大

• DOI: 10.3131/jvsj2.59.360
• 发表时间: 2016
• 期刊: Journal of the Vacuum Society of Japan
• 作者: Yuji Kasashima;Fumihiko Uesugi
• 通讯作者: Fumihiko Uesugi

Development of monitoring method for deposited film causing particles in mass-production plasma etching process using a load impedance monitoring system

使用负载阻抗监测系统开发大规模生产等离子蚀刻过程中沉积膜产生颗粒的监测方法

• 发表时间: 2016
• 期刊: Proceedings of International Symposium on Semiconductor Manufacturing 2016
• 作者: Yuji Kasashima;Fumihiko Uesugi
• 通讯作者: Fumihiko Uesugi

プラズマエッチングプロセスにおけるパーティクル検出手法の開発

等离子刻蚀过程中颗粒检测方法的研制

• 发表时间: 2018
• 作者: Nonogaki S.;Masumoto S.;and Nemoto T.;笠嶋悠司
• 通讯作者: 笠嶋悠司

Easy-to-use detection method for micro-arc discharge in plasma etching equipment by measuring current flowing to ground

通过测量流向地面的电流来检测等离子蚀刻设备中微弧放电的简便方法

• DOI: 10.7567/jjap.57.098002
• 发表时间: 2018
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: 阿部亮介;宮本定明;遠藤靖典;竹下潤一;Kasashima Yuji
• 通讯作者: Kasashima Yuji

半導体量産装置用プラズマプロセスモニタリング手法の開発

半导体量产设备等离子工艺监控方法开发

• 发表时间: 2018
• 作者: Nonogaki S.;Masumoto S.;and Nemoto T.;笠嶋悠司;馬場優子 黒川真美 長友亘 谷友香子 越智真奈美 土井理美 伊角彩 藤原武男;福屋吉史，伊角彩，越智真奈美，土井理美，森田彩子，木津喜雅，藤原武男;笠嶋悠司
• 通讯作者: 笠嶋悠司