Formation of Strained Ge Channel and Material Evaluation for High performance ULSI

高性能 ULSI 应变 Ge 通道的形成和材料评估

基本信息

  • 批准号:
    21246054
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 29.7万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009 至 2011
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

In this study, we established the fabrication of strained SiGe-on-insulator(SGOI) using Ge condensation by dry oxidation and the fabrication of high permittivity(High-k) gate insulator on Ge. Through these researches, we obtained the following results. The SGOI with a Ge fraction of 50% showed high strain ratio and hole channel mobility, which were 1. 7% and 570 cm^2/V・s, respectively. We achieved the High-k/Ge gate stack with the performances of an equivalent SiO_2 thickness(EOT) of 1. 0 nm, an interface state density of 9×10^<11> cm^<-2> eV^<-1>, and a leakage current of 4 orders of magnitude lower than SiO_2 with the same EOT. Also, we fabricated n-and p-MOSFET and achieved an electron mobility of 1097 cm^2/V・s and a hole mobility of 376 cm^2/V・s, which mean approximately 1. 5 times enhancement compared with Si.
在本研究中,我们建立了利用干氧化锗凝聚的绝缘体上应变硅锗(SGOI)的制造和在锗上制造高介电常数(High-k)栅绝缘体。通过这些研究,我们得到了以下结果。锗含量为50%的SGOI具有较高的应变比和空穴沟道迁移率,分别为1。7%和570 cm^2/V·s。在此基础上,实现了等效SiO_2厚度(EOT)为1。0 nm,界面态密度为9×10^<11>cm^<-2>eV^<-1>,漏电流比具有相同EOT的SiO_2低4个数量级。此外,我们制作的n型和p型MOSFET的电子迁移率为1097 cm^2/V·s和空穴迁移率为376 cm^2/V·s,这意味着约1。5倍于Si。

项目成果

期刊论文数量(61)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Hole-Mobility Enhancement in Ultrathin Strained Si_<0.5>Ge_<0.5>-on-Insulator Fabricated by Ge Condensation Technique
Ge凝聚技术制备的绝缘体上超薄应变Si_<0.5>Ge_<0.5>增强空穴迁移率
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H.Yang;D.Wang;H.Nakashima
  • 通讯作者:
    H.Nakashima
Defect characterization and control for Site-on-insulator
绝缘子现场的缺陷表征和控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    D.Wang;H.Yang;H.Nakashima
  • 通讯作者:
    H.Nakashima
低障壁TiN/n-Geコンタクトの形成とコンタクト抵抗評価
低势垒 TiN/n-Ge 接触的形成和接触电阻的评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山本圭介;原田健司;楊海貴;王冬;中島寛
  • 通讯作者:
    中島寛
ZrSiO_x/GeO_2/Ge MIS構造の形成と電気的評価
ZrSiO_x/GeO_2/Ge MIS结构的形成及电学评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岩村義明;平山佳奈;吉野圭介;楊海貴;王冬;中島寛
  • 通讯作者:
    中島寛
極薄GeO_2界面層を有するZr系high-k/Geゲートスタック構造の形成
超薄GeO_2界面层Zr基高k/Ge栅堆叠结构的形成
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  • 通讯作者:
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Relationship between Hideshi HARASAKI's Duties as the Government of Nagano Prefecture and Home Help Services
原崎英士作为长野县政府的职责与家庭帮助服务的关系
  • 批准号:
    16K04179
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 29.7万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    25870694
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    2013
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    $ 29.7万
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    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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    23580359
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    2011
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    $ 29.7万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    23300006
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    2011
  • 资助金额:
    $ 29.7万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    23730016
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 29.7万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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  • 批准号:
    21360473
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 29.7万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    20300011
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 29.7万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    19360432
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 29.7万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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低功耗LSI用高k栅介质微缩技术的建立
  • 批准号:
    18360152
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 29.7万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    17300015
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 29.7万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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