Control of film growth process at n/i interface in nano-crystalline silicon based solar cells using SiH4 plasma diagnostics

使用 SiH4 等离子体诊断控制纳米晶硅太阳能电池中 n/i 界面的薄膜生长过程

• 批准号: 26870347
• 负责人: Sobajima Yasushi
• 金额: $ 1.25万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26870347/
• 关键词: ナノ結晶シリコン; プラズマCVD; 太陽電池; 薄膜物性; 薄膜シリコン材料; 界面評価; 薄膜; アモルファスシリコン; PECVD; プラスマCVD; アモルファスシリコン合金; 薄膜シリコン

项目成果

高温製膜アモルファスシリコンにおける欠陥密度分布と太陽電池応用

高温成膜非晶硅和太阳能电池应用中的缺陷密度分布

• 发表时间: 2016
• 作者: 傍島 靖;西尾 侑典;籠島 瑛二;久保田 晴香;松田 彰久;岡本 博明
• 通讯作者: 岡本 博明

Determination process of i-layer defect density in amorphous silicon solar cells

非晶硅太阳能电池i层缺陷密度的测定方法

• 发表时间: 2015
• 作者: Yasushi. Sobajima;Akihisa Matsuda;Hiroaki Okamoto,
• 通讯作者: Hiroaki Okamoto,

薄膜シリコン太陽電池における欠陥密度決定プロセス(III) -nip太陽電池における発電特性の改善-

薄膜硅太阳能电池的缺陷密度测定过程(III) -NIP太阳能电池发电特性的改善-

• 发表时间: 2015
• 作者: Yasuhiro Sugimoto;Takaki Okamoto and Koichi Osuka;早瀬絢香，石本憲司，熊谷文子，橘敬祐，川村猛，田中十志也，浜窪隆雄，酒井寿郎，児玉龍彦，土井健史;傍島 靖，松田彰久，岡本博明
• 通讯作者: 傍島 靖，松田彰久，岡本博明

PADS法を用いたアモルファスシリコンの光劣化制御

PADS法非晶硅光降解控制

• 发表时间: 2014
• 作者: Yasuhiro Sugimoto;Suzuka Kondo;and Koichi Osuka;傍島 靖，松田彰久，岡本博明
• 通讯作者: 傍島 靖，松田彰久，岡本博明

「アモルファスシリコン系ワイドギャップ材料の高品質化」プラズマ・核融合学会誌 第91巻第5号（2015）小特集「シリコン系太陽電池の高効率化に向けたプラズマCVDの科学」

“提高非晶硅系宽禁带材料的质量”日本等离子体核聚变学会杂志第91卷第5期（2015年）小特辑“提高硅系太阳能效率的等离子体CVD科学”细胞”

• 发表时间: 2015
• 作者: 傍島 靖;松田 彰久;岡本 博明
• 通讯作者: 岡本 博明