低誘電率層間絶縁膜作製プラズマCVDの表面和周波発生振動分光による診断
使用等离子体CVD表面和频产生振动光谱诊断低介电常数层间绝缘膜生产
基本信息
- 批准号:12750269
- 负责人:
- 金额:$ 1.73万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:2000
- 资助国家:日本
- 起止时间:2000 至 2001
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
赤外レーザー多重反射吸収分光法による表面反応診断システムを構築した。具体的には、表面多重反射計測のための光学系を独自に設計・開発した。この手法では測定感度を多重反射によりFT-IRに劣らないレベルにまで高めるとともに、波数掃引範囲を観測したい領域のみに限定した測定が可能である。振動スペクトルの測定により、表面反応層にどのような化学結合が、どのぐらいの量、生成しているのかを、圧力、ガス流量、RFパワー、バイアス電力などを変えながら調べることを試みた。基板表面に入射させる赤外光としてピコ秒レーザーパルスを用いることから、パルス変調プラズマと組み合わせた振動スペクトルの時間分解測定を行い、プラズマにさらされた基板表面で進行しているCVDの化学反応のダイナミクスを明らかにすることを目指して実験を進めた。また、上記の作業と並行して、ab initio分子軌道法に基づいてCVD原料であるフルオロカーボン分子の負イオン状態の量子化学計算による解析を行った。フルオロカーボン分子は電子付着断面積が大きく、生成される親分子あるいはフラグメントの負イオンはプロセス結果に大きな影響を与えているものと考えられる。フルオロカーボン負イオンのポリマー膜堆積に対する寄与を調べるために、CF_2付加エネルギーとC-F結合の解離エネルギーを中性種とアニオン種について計算し比較した。その結果、負イオン種へのCF_2付加の方が熱力学的に有利であり、この反応過程はポリマー膜成長への反応経路の一つとして十分に考えられることがわかった。
Infrared レ, ザ, ザ, multiple reflection absorption spectrophotometry による, surface reflection 応 diagnosis システムを, construction た た. The specific に に, surface multiple reflectometer ため, <s:1> was independently designed and developed by the Department of optics を に. こ の gimmick で は measurement sensitivity を multiple reflection に よ り FT - IR に substandard ら な い レ ベ ル に ま で high め る と と も に sweep, wave number, led fan 囲 を 観 measuring し た い field の み に qualified し た determination が may で あ る. Determination of vibration ス ペ ク ト ル の に よ り, surface layer against 応 に ど の よ う な chemical combination が, ど の ぐ ら い の quantity, generate し て い る の か を, pressure, ガ ス flow rate and RF パ ワ ー, バ イ ア ス power な ど を - え な が ら adjustable べ る こ と を try み た. Substrate surface に incident さ せ る red outside light と し て ピ コ seconds レ ー ザ ー パ ル ス を with い る こ と か ら, パ ル ス - adjustable プ ラ ズ マ と group み close わ せ た vibration ス ペ ク ト ル の time decomposition line measurement を い, プ ラ ズ マ に さ ら さ れ た substrate surface で し て い る CVD の chemical anti 応 の ダ イ ナ ミ ク ス を Ming ら か に す る こ と を refers し て be Enter めた from を. ま た, written の homework と parallel し て, ab initio molecular orbital method に base づ い て CVD materials で あ る フ ル オ ロ カ ー ボ ン molecular の negative イ オ ン state の quantum chemical calculation に よ る parsing line を っ た. フ ル オ ロ カ ー ボ ン は molecular electronic pay for with the big area が き く, generate さ れ る hydrophilic molecular あ る い は フ ラ グ メ ン ト の negative イ オ ン は プ ロ セ ス results に big き な influence を and え て い る も の と exam え ら れ る. フ ル オ ロ カ ー ボ ン negative イ オ ン の ポ リ マ ー membrane accumulation に す seaborne る send and を べ る た め に, CF_2 pay エ ネ ル ギ ー と C - F combining の dissociation エ ネ ル ギ ー を neutral kind と ア ニ オ ン kind に つ い て calculate し compare し た. そ の results, negative イ オ ン kind へ の CF_2 pay plus の が thermodynamics に beneficial で あ り, こ の anti 応 process は ポ リ マ ー film growth へ の anti 応 の 経 way つ と し て very に exam え ら れ る こ と が わ か っ た.
项目成果
期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H.Motomura, T.Nakamura, K.Tachibana: "Difference in Surface and Gas Phase Reaction between C_4F_8 and C_5F_8 Plasmas for SiO_2/Photo-Resist Selective Etching"Symposium Proceedings of the 15^<th> International Symposium on Plasma Chemistry(ISPC-15). 1719-1
H.Motomura、T.Nakamura、K.Tachibana:“Difference in Surface and Gas Phase Reaction Between C_4F_8 and C_5F_8 Plasmas for SiO_2/Photo-Resist Selective Etching”第十五届国际等离子体化学研讨会(ISPC)会议论文集
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Nakamura,H.Motomura,K.Tachibana: "Quantum Chemical Study on Decomposition and Polymer Deposition in Perfluorocarbon Plasmas : Molecular Orbital Calculations of Excited States of Perfluorocarbons"Japanese Journal of Applied Physics. 40・2A. 847-854 (2001)
T.Nakamura、H.Motomura、K.Tachibana:“全氟化碳等离子体中分解和聚合物沉积的量子化学研究:全氟化碳激发态的分子轨道计算”日本应用物理学杂志40・2A(2001)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Nakamura,K.Tachibana: "Quantum Chemical Study on Decomposition and Polymer Deposition in Perfluorocarbon Plasmas"Proceedings of Plasma Science Symposium 2001 (PSS-2001) and the 18^<th> Symposium on Plasma Processing (SPP-18). 173-174 (2001)
T.Nakamura,K.Tachibana:“全氟化碳等离子体中分解和聚合物沉积的量子化学研究”2001 年等离子体科学研讨会 (PSS-2001) 和第 18 次等离子体处理研讨会 (SPP-18) 的会议记录。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Nakamura, K.Tachibana: "Quantum Chemical Study on Negative Ions in Fluorocarbon Plasmas"Proceedings of the 25^<th> International Conference on Phenomena in Ionized Gases(XXV ICPIG). 145-146 (2001)
T.Nakamura、K.Tachibana:“氟碳等离子体中负离子的量子化学研究”第 25 届国际电离气体现象会议 (XXV ICPIG) 论文集。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
K.Takahashi,A.Itoh,T.Nakamura,K.Tachibana: "Radical Kinetics for Polymer Deposition in Fluorocarbon (C_4F_8, C_3F_6 and C_5F_8) Plasmas"Thin Solid Films. 374・2. 303-310 (2000)
K.Takahashi、A.Itoh、T.Nakamura、K.Tachibana:“氟碳(C_4F_8、C_3F_6 和 C_5F_8)等离子体中聚合物沉积的自由基动力学”固体薄膜374・2。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
中村 敏浩其他文献
中村 敏浩的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('中村 敏浩', 18)}}的其他基金
気液界面プラズマによる高効率炭素固定プロセスの開発と応用
气液界面等离子体高效固碳工艺开发及应用
- 批准号:
23K23388 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.73万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
気液界面プラズマによる高効率炭素固定プロセスの開発と応用
气液界面等离子体高效固碳工艺开发及应用
- 批准号:
22H02120 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 1.73万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
大気圧プラズマCVD法によるシリカ膜のサブナノ細孔構造制御と超薄膜製膜技術の確立
常压等离子体CVD法二氧化硅膜亚纳米孔结构控制及超薄膜形成技术的建立
- 批准号:
23K23119 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.73万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
プラズマCVDを用いた低応力・高密度カーボンナノコンポジット膜の高速製膜法の創成
使用等离子体CVD创建低应力、高密度碳纳米复合材料薄膜的高速薄膜生产方法
- 批准号:
20J13122 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 1.73万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高選択透過アモルファス分離膜のプラズマCVD製膜とフレキシブルセラミック膜の創製
等离子体CVD制备高选择性渗透非晶分离膜及柔性陶瓷膜的制作
- 批准号:
21656199 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 1.73万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
マイクロ波プラズマCVD法によるハイパワーナノダイヤモンドダイオードの作製
微波等离子体CVD法制备高功率纳米金刚石二极管
- 批准号:
07J10950 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 1.73万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高強度レーザー誘起プラズマCVD法によるセラミックス膜の超高速合成とナノ構造制御
高强度激光诱导等离子体CVD法陶瓷薄膜的超快合成和纳米结构控制
- 批准号:
17686055 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 1.73万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
プラズマCVDによるTiN-基組成傾斜膜のコーティングと耐腐食性
等离子CVD制备TiN基成分梯度薄膜及其耐蚀性能
- 批准号:
03F03293 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 1.73万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
プラズマCVDによるTiN基組成傾斜膜のコーティングと耐腐食性
等离子体CVD制备TiN基成分梯度薄膜及其耐蚀性能
- 批准号:
03F00293 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 1.73万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
プラズマCVD法によるシリコン結晶成長過程における水素原子の動力学に関する研究
等离子体CVD法硅晶体生长过程中氢原子动力学研究
- 批准号:
13750033 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 1.73万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
大気圧グロー放電プラズマによるレーザ発振およびプラズマCVDへの応用
使用大气压辉光放电等离子体的激光振荡和等离子体CVD的应用
- 批准号:
09750820 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 1.73万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
変調RFプラズマCVD法によるアモルファス炭化シリコン薄膜の作製
调制射频等离子体CVD法制备非晶碳化硅薄膜
- 批准号:
08750361 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 1.73万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)