Development of low temperature formation for group IV crystalline semiconductor film on insulating substrate by catalytic crystallization method

催化晶化法在绝缘衬底上低温形成IV族晶体半导体薄膜的研究进展

• 批准号: 26870815
• 负责人: TSUNODA Isao
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: National Institute of Technology, Kumamoto College
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26870815/
• 关键词: 結晶成長; 半導体; 低温結晶成長; ゲルマニウム; シリコンゲルマニウム; 非熱エネルギー

项目成果

面方位制御した結晶Ge薄膜の極低温誘起成長

具有受控面取向的晶态Ge薄膜的低温诱导生长

• 发表时间: 2015
• 期刊: 信学技報
• 作者: 鈴木香寿恵;徳永旭将;平沢尚彦;門崎学;山内恭;野満 建至， 岡本 隼人， 工藤 康平， 坂口 大成， 高倉 健一郎， 角田 功
• 通讯作者: 野満 建至， 岡本 隼人， 工藤 康平， 坂口 大成， 高倉 健一郎， 角田 功

Au induced low-temperature formation of perferentially (111)-oriented crystalline Ge on insulator

Au 诱导绝缘体上低温形成择优 (111) 取向的晶体 Ge

• DOI: 10.7567/jjap.55.04ej10
• 发表时间: 2016
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: 岡本 隼人， 工藤 康平， 野満 建至， 高倉 健一郎， 角田 功

Preferentially (111) Oriented Crystalline Ge by Low Temperature (~200 ℃) Au Induced Solid Phase Crystallization

低温（~200 ℃）Au诱导固相结晶优先（111）取向晶体Ge

• 发表时间: 2016
• 作者: 苗村智行;都築俊介;西山悠;工藤 康平，餅井 亮介，野満 建至，高倉 健一郎，角田 功
• 通讯作者: 工藤 康平，餅井 亮介，野満 建至，高倉 健一郎，角田 功

非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす熱処理温度の影響（２）－Au膜厚依存性－

热处理温度对非晶Ge薄膜Au诱导生长的影响(2)-Au膜厚依赖性-

• 发表时间: 2015
• 作者: 鈴木 香寿恵 ;本山 秀明 ;山内 恭;榎本 浩之;田村 岳史;飯塚 芳徳;樋口 知之;工藤 康平， 野満 建至， 餅井 亮介， 岡本 隼人， 高倉 健一郎， 角田 功
• 通讯作者: 工藤 康平， 野満 建至， 餅井 亮介， 岡本 隼人， 高倉 健一郎， 角田 功

ゲルマニウム層付き基板の製造方法及びゲルマニウム層付き基板

具有锗层的基板的制造方法及具有锗层的基板

• 发表时间: 2014