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Development of low temperature formation for group IV crystalline semiconductor film on insulating substrate by catalytic crystallization method

Development of low temperature formation for group IV crystalline semiconductor film on insulating substrate by catalytic crystallization method
催化晶化法在绝缘衬底上低温形成IV族晶体半导体薄膜的研究进展
批准号：
26870815
负责人：
TSUNODA Isao
金额：
$2.5万
依托单位：
National Institute of Technology, Kumamoto College
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26870815/
关键词：
結晶成長半導体低温結晶成長ゲルマニウムシリコンゲルマニウム非熱エネルギー

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通讯作者： 工藤　康平， 野満　建至， 餅井　亮介， 岡本　隼人， 高倉　健一郎， 角田　功
共 14 条
    Low temperature formation of orientation controlled crystalline group IV semiconductor on insulating substrate by using metal induced crystallization method
    海外基金