Low temperature formation of orientation controlled crystalline group IV semiconductor on insulating substrate by using metal induced crystallization method
Low temperature formation of orientation controlled crystalline group IV semiconductor on insulating substrate by using metal induced crystallization method
金属诱导晶化法在绝缘衬底上低温形成取向控制晶体IV族半导体
批准号：
17K06363
负责人：
TSUNODA Isao
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
非晶質Ge/SiO2のSn誘起横方向低温（≦200℃）固相成長
Sn诱导非晶Ge/SiO2横向低温（≤200℃）固相生长
Sn诱导非晶Ge/SiO2横向低温（≤200℃）固相生长
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鹿子木嘉城, 佐藤亮起, 西嶋泰樹, 小川大輔, 高倉健一郎, 角田功]
通讯作者：
角田功
Evaluation of Au concentration for Au induced lateral crystallized Ge on insulating substrate
绝缘基板上 Au 诱导横向结晶 Ge 的 Au 浓度评估
绝缘基板上 Au 诱导横向结晶 Ge 的 Au 浓度评估
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[濵崎健, 坂井拓也, 高倉健一郎, 角田功]
通讯作者：
角田功
Electron irradiation effect on Sn induced lateral crystallization for amorphous Ge on insulating substrate
电子辐照对绝缘基底上锡诱导非晶Ge横向结晶的影响
电子辐照对绝缘基底上锡诱导非晶Ge横向结晶的影响
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鹿子木嘉城, 西嶋泰樹, 高倉健一郎, 角田功]
通讯作者：
角田功
Low temperature formation of Ge(111)/Au/SiO2 by two step annealing
两步退火低温形成Ge(111)/Au/SiO2
两步退火低温形成Ge(111)/Au/SiO2
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[清水昇, 森貴礼, 高倉健一郎, 角田功]
通讯作者：
角田功
触媒結晶性変調法を用いた高品質Ge (111)の低温形成
催化结晶度调节法低温制备高品质Ge(111)
催化结晶度调节法低温制备高品质Ge(111)
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Taiki Nishijima, Kinta Kusano, Kazuki Kudo, Masahiro Furuta, Yutaka Kusuda, Shinichi Motoyama, Nobuyuki Naka, Tomoko Numata and Isao Tsunoda, 角 和章，清水 昇，角田 功, 清水 智，高倉健一郎，角田 功, 小川大輔，高倉健一郎，角田 功, 角 和章，清水 昇，角田 功]
通讯作者：
角 和章，清水 昇，角田 功
共 18 条
Development of low temperature formation for group IV crystalline semiconductor film on insulating substrate by catalytic crystallization method
-
批准号：26870815
-
项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
-
资助金额：$2.5万
-
财政年份：2014
-
负责人：TSUNODA Isao
-
依托单位：
海外基金