Verteilung von Einzelleerstellen bei der Implantation von B in Cu und Al
Verteilung von Einzelleerstellen bei der Implantation von B in Cu und Al
批准号:
5092324
负责人:
Professor Dr. Hans-Jürgen Stöckmann
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
1998
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1997-12-31 至 2000-12-31
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英文摘要
Bei der Implantation von 12B in Cu mit Energien im 100 keV-Bereich findet man mit Hilfe der b-strahlungsdetektierten Kernspinresonanz, daß unterhalb 400 K alle B-Ionen auf dem oktaedrischen Zwischengitterplatz zur Ruhe kommen. Bei höheren Temperaturen führt etwa die Hälfte der B-Ionen einen Wechsel auf den substitutionellen Platz durch, verursacht durch Einfang in beim Implantationsprozeß erzeugte Leerstellen. Durch Messung des temperaturabhängigen Konzentrationsverhältnisses von interstitiellem zu substitutionellem B lassen sich quantitative Aussagen über den mittleren Radius der Wolke isolierter Leerstellen sowie den Anteil der die spontane Rekombination überlebenden Frenkelpaare gewinnen.
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批准号:260221821
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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负责人:Professor Dr. Hans-Jürgen Stöckmann
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批准号:5327182
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项目类别:Research Grants
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批准号:5233530
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项目类别:Research Grants
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负责人:Professor Dr. Hans-Jürgen Stöckmann
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1998
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负责人:Professor Dr. Hans-Jürgen Stöckmann
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依托单位:
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