Verteilung von Einzelleerstellen bei der Implantation von B in Cu und Al

Cu和Al中B注入后单空位的分布

• 批准号: 5092324
• 负责人: Professor Dr. Hans-Jürgen Stöckmann
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe Quantenchaos
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1997-12-31 至 2000-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5092324?language=en
• 关键词: Verteilung; von; Einzelleerstellen; bei; der

Bei der Implantation von 12B in Cu mit Energien im 100 keV-Bereich findet man mit Hilfe der b-strahlungsdetektierten Kernspinresonanz, daß unterhalb 400 K alle B-Ionen auf dem oktaedrischen Zwischengitterplatz zur Ruhe kommen. Bei höheren Temperaturen führt etwa die Hälfte der B-Ionen einen Wechsel auf den substitutionellen Platz durch, verursacht durch Einfang in beim Implantationsprozeß erzeugte Leerstellen. Durch Messung des temperaturabhängigen Konzentrationsverhältnisses von interstitiellem zu substitutionellem B lassen sich quantitative Aussagen über den mittleren Radius der Wolke isolierter Leerstellen sowie den Anteil der die spontane Rekombination überlebenden Frenkelpaare gewinnen.

b- 1在Cu和Energien之间的着床速率为100k - 1 - 1，在Cu和Energien之间的着床速率为100k - 1，在Cu和Energien之间的着床速率为100k - 1，在Cu和Energien之间的着床速率为100k - 1。Bei höheren temperature uren fhrt etwa die Hälfte der B-Ionen einen Wechsel auf den substitutionellen Platz durch, verursacht durch Einfang in beim inplanationsprozeß erzeugte Leerstellen。Durch Messung des temperaturabhängigen Konzentrationsverhältnisses von interstitiellem zu substitutionellem B lassen .定量Aussagen . ber den mitteren半径der Wolke isolierter Leerstellen . den Anteil der die自发性重组<e:1> berlebenden Frenkelpaare gewinnen。