Epitaxial growth of largely lattice-mismatched thin films on GaAs and its application to infrared photodetectors

GaAs 上晶格失配薄膜的外延生长及其在红外光电探测器中的应用

基本信息

  • 批准号：
    19K04480
  • 负责人：
    MANO Takaaki
  • 金额：
    $ 2.83万
  • 依托单位：
    National Institute for Materials Science
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2019
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（4）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
赤外線検出素子、その製造方法、および赤外線検出装置
红外线检测元件及其制造方法以及红外线检测装置
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Annealing-Induced Structural Evolution of InAs Quantum Dots on InP (111)A Formed by Droplet Epitaxy
液滴外延形成的 InP (111)A 上 InAs 量子点的退火诱导结构演化
  • DOI：
    10.1021/acs.cgd.1c00276
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Crystal Growth & Design
  • 影响因子：
    3.8
  • 作者：
    T. Mano;A. Ohtake;N. Ha;T. Noda;Y. Sakuma;T. Kuroda;K. Sakoda
  • 通讯作者：
    K. Sakoda
Strain relaxation in InAs heteroepitaxy on lattice-mismatched substrates
晶格失配衬底上 InAs 异质外延中的应变弛豫
  • DOI：
    10.1038/s41598-020-61527-9
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Scientific Reports
  • 影响因子：
    4.6
  • 作者：
    Ohtake Akihiro;Mano Takaaki;Sakuma Yoshiki
  • 通讯作者：
    Sakuma Yoshiki
InAs/GaAs(111)Aのメタモルフィック成長とその赤外線検出器応用
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    間野高明;大竹晃浩;川津琢也;宮崎英樹;佐久間芳樹
  • 通讯作者：
    佐久間芳樹
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  • 通讯作者：
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  • 发表时间：
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  • 期刊：
  • 影响因子：
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  • 作者：
    IWANAGA Masanobu;MANO Takaaki;IKEDA Naoki;Hidekazu Tanaka;福島智
  • 通讯作者：
    福島智

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