Epitaxial growth of largely lattice-mismatched thin films on GaAs and its application to infrared photodetectors
Epitaxial growth of largely lattice-mismatched thin films on GaAs and its application to infrared photodetectors
GaAs 上晶格失配薄膜的外延生长及其在红外光电探测器中的应用
批准号：
19K04480
负责人：
MANO Takaaki
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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赤外線検出素子、その製造方法、および赤外線検出装置
红外线检测元件及其制造方法以及红外线检测装置
红外线检测元件及其制造方法以及红外线检测装置
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Annealing-Induced Structural Evolution of InAs Quantum Dots on InP (111)A Formed by Droplet Epitaxy
液滴外延形成的 InP (111)A 上 InAs 量子点的退火诱导结构演化
液滴外延形成的 InP (111)A 上 InAs 量子点的退火诱导结构演化
DOI：
10.1021/acs.cgd.1c00276
发表时间：
2021
期刊：
Crystal Growth & Design
影响因子：
3.8
作者：
[T. Mano, A. Ohtake, N. Ha, T. Noda, Y. Sakuma, T. Kuroda, K. Sakoda]
通讯作者：
K. Sakoda
Strain relaxation in InAs heteroepitaxy on lattice-mismatched substrates
晶格失配衬底上 InAs 异质外延中的应变弛豫
晶格失配衬底上 InAs 异质外延中的应变弛豫
DOI：
10.1038/s41598-020-61527-9
发表时间：
2020
期刊：
Scientific Reports
影响因子：
4.6
作者：
[Ohtake Akihiro, Mano Takaaki, Sakuma Yoshiki]
通讯作者：
Sakuma Yoshiki
InAs/GaAs(111)Aのメタモルフィック成長とその赤外線検出器応用
InAs/GaAs(111)A的变质生长及其在红外探测器中的应用
InAs/GaAs(111)A的变质生长及其在红外探测器中的应用
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[間野高明, 大竹晃浩, 川津琢也, 宮崎英樹, 佐久間芳樹]
通讯作者：
佐久間芳樹
Self-assembly of highly symmetric quantum dots on GaAs(111)
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批准号：22710107
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2010
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负责人：MANO Takaaki
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依托单位：
Development of self-assembled quantum dot lasers in lattice-matched GaAs/AlGaAs system
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批准号：20760207
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.25万
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财政年份：2008
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负责人：MANO Takaaki
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依托单位：
海外基金