Quantitative transmissionselektronenmikroskopische Analyse von Zusammensetzungsfluktuationen in InGaN: Ursachen und Korrelation mit Photolumineszenz

InGaN 成分波动的定量透射电子显微镜分析：原因及其与光致发光的相关性

• 批准号: 5307504
• 负责人: Professorin Dr. Dagmar Gerthsen
• 金额: --
• 依托单位: Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5307504?language=en
• 关键词: Quantitative; transmissionselektronenmikroskopische; Analyse; von; Zusammensetzungsfluktuationen

Aufgrund ihrer potentiell großen Bedeutung für lichtemittierende Bauelemente sollen die Ursachen und das Verhalten von kleinskaligen Fluktuationen der Zusammensetzung von InGaN mit Abmessungen von wenigen Nanometern untersucht werden, die in unseren bisherigen Analysen in allen InGaN-Schichten bis herunter zu sehr niedrigen mittleren In-Konzentrationen von 6 % beobachtet wurden. Neben Phasenseparation werden in der Literatur zwei weitere Ursachen für kleinskalige Inhomogenitäten der In-Konzentration vorgeschlagen. Durch hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie Analysen sollen lokale und gemittelte In-Konzentrationen an verspannten, unverspannten und wärmebehandelten InGaN-Schichten gemessen und dadurch Hinweise gewonnen werden, welcher Effekt tatsächlich dominiert. Die Korrelation der strukturellen und chemischen Eigenschaften mit der Photolumineszenz ist wesentlicher Bestandteil des Projekts. In einem weiteren Teil des Projekts soll die Stärke und Verteilung des piezoelektrischen Feldes in InGaN-Quantentrögen durch die Rekonstruktion der Phase der Elektronenwellenfunktion mit der Elektronenholographie abgebildet werden.

为了获得更大的潜力，需要解决以下问题：使用具有韦尔登的InGaN作为发光元件的发光强度和发光强度，在对所有InGaN-Schichten的双折射分析中发现，6%的InGaN-Schichten比6%的In-Konzentrationen低。Neben Phasenseparation韦尔登在der Literatur zwei weitere Ursachen für kleinskalige In-Konzentration vorgeschlagen.传输选择电子显微镜分析仪可在局部进行，并可在不同范围内进行In-Konzentrationen分析，可对InGaN-Schichten gemessen和Daden-Hinweise gewonnen韦尔登进行不同范围和不同尺寸的处理，并可控制其效果。结构与化学特征与光致发光的关系是工程中最重要的。在另一个项目中，通过采用电子全息韦尔登技术对电子相位功能进行重构，实现了InGaN-量子点压电传感器的结构和测试。