Simulation und experimentelle Untersuchung der Nanokristallitbildung im Silizium- und Germaniumsystem
硅、锗体系中纳米微晶形成的模拟与实验研究
基本信息
- 批准号:5153330
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:1999
- 资助国家:德国
- 起止时间:1998-12-31 至 2002-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Das Wachstum von Germanium-Nanokristalliten auf Silicium kann durch das Auftreten von Spannungen (Stranski-Krastanov) oder aber durch lokalisierte chemische Modifikation der Oberfläche erreicht werden. Im Projekt wird das Wachstum von Ge- und GeSi-Kristalliten in Realzeit mittels spektroskopischer Ellipsometrie verfolgt und mit Hilfe dieser Meßdaten ein detailliertes Cluster-Wachstumsmodell entwickelt, das zum Verständnis und zur Optimierung des Wachstumsprozesses verwendet wird. Von besonderem Interesse ist dabei das chemisch induzierte Wachstum, da hiermit möglicherweise eine bessere Kontrolle der Nukleationsdichte und Kristallitgröße erreicht werden kann. Die kontrollierte Herstellung solcher Nanokristallite mit definierter Größe und hoher Nukleationsdichte verspricht eine Reihe neuer Anwendungen in der Nanotechnologie.
Das Wachstum von Germanium-Nanokristalliten auf silicium kann duch das Auftreten von Spannungen(STranski-Krastanov):Das Wachstum von Germanium-Nanokristallen auf Silicium kann duch das Auftreten von Spannungen(STranski-Krastanov)(Das Wachstum von Germanium-Nanokristalliten auf Silicium kanum kann duch das Auftreten von Spannungen(STranski-Krastanov))(Das Wachstum von Ge Ge-Nanokristalliten auf silicium kanum kann duch das Auftreten von Spannungen(STranski-Krastanov))(Das Wachstum von Ge Ge-Nanokristalliten auf SiliciumIm Projekt wird das Wachstum von GE-und Gesi-Kristalliten in Realzeit Mittels Spektroskopischer Ellipsstre Verfolgt and MIT Hilfe Dieser me?Daten ein Detailliertes Cluliertes-Wachstumsmodell entwickelt,das zum Verständnis und zur Optimierung des Wachstumsprozess verwendet wird.这句话的意思是:我们的国家和国家之间的关系并不是一帆风顺。在纳米技术中,纳米晶的定义是Gröçeée and Hoher Nuklesis。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
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