Simulation und experimentelle Untersuchung der Nanokristallitbildung im Silizium- und Germaniumsystem

点击翻译按钮获取中文摘要

Das Wachstum von Germanium-Nanokristalliten auf Silicium kann durch das Auftreten von Spannungen (Stranski-Krastanov) oder aber durch lokalisierte chemische Modifikation der Oberfläche erreicht werden. Im Projekt wird das Wachstum von Ge- und GeSi-Kristalliten in Realzeit mittels spektroskopischer Ellipsometrie verfolgt und mit Hilfe dieser Meßdaten ein detailliertes Cluster-Wachstumsmodell entwickelt, das zum Verständnis und zur Optimierung des Wachstumsprozesses verwendet wird. Von besonderem Interesse ist dabei das chemisch induzierte Wachstum, da hiermit möglicherweise eine bessere Kontrolle der Nukleationsdichte und Kristallitgröße erreicht werden kann. Die kontrollierte Herstellung solcher Nanokristallite mit definierter Größe und hoher Nukleationsdichte verspricht eine Reihe neuer Anwendungen in der Nanotechnologie.