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強誘電体薄膜の分極反転を利用したGaAs不揮発性メモリ素子の研究

強誘電体薄膜の分極反転を利用したGaAs不揮発性メモリ素子の研究
利用铁电薄膜极化反转的GaAs非易失性存储器件的研究
批准号：
X00040----220321
负责人：
奥山 雅則
金额：
$1.6万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1977
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1977 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X00040----220321/
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BiFeO3フェロイック薄膜の巨大強誘電性発現要因の解明と更なる増大への挑戦
  • 批准号：
    05F05073
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    奥山 雅則
  • 依托单位：
    Osaka University
強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用
  • 批准号：
    12134204
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $11.14万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    奥山 雅則
  • 依托单位：
    Osaka University
強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用
  • 批准号：
    12134205
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $28.61万
  • 财政年份：
    2000
  • 负责人：
    奥山 雅則
  • 依托单位：
    Osaka University
強誘電体薄膜の作製と応用
  • 批准号：
    97F00064
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    1998
  • 负责人：
    奥山 雅則
  • 依托单位：
    Osaka University