強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用

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今日、高度化されまた今後も拡大化の続く情報化社会を支えるのがまさにコンピュータと通信機器であるが、特に記憶を司るメモリデバイスが非常に重要である。この半導体メモリの中で電源を切っても忘れない不揮発性メモリとして強誘電体メモリ(FeRAM)があり、その研究開発が進められている。しかし、強誘電体薄膜を信頼性の高いメモリデバイスに応用するには、多くの問題点が存在する。高集積化に伴う超微細化によって数十nmの厚さの強誘電体薄膜における分極反転の反復による強誘電性の劣化、分極履歴のシフト、分極の時間的劣化、絶縁性の劣化などである。これらの問題点は、微細な強誘電体薄膜の特性評価をし、薄膜作製法の改良と最適化で克服されようと多くの努力が払われているが、表面的改良ではなく、強誘電体ならびにその薄膜に起こる現象を根本的に理解し、種々の物性や素子特性を根本的に解明、制御する必要がある。本領域研究では薄膜での強誘電性の基本的要因を明確にし、これらを薄膜特有の現象や物性と絡み合わせながら、実験的に起こる様々な問題点を解決し、次世代強誘電体メモリデバイスの実用化をはかるべく、基礎的な性質を検討してきた。そこで、これらの成果を取りまとめ、平成12年度から15年度までの本領域の研究成果を広く公開するために、以下のような公開シンポジウムを開催した。さらに、成果を取りまとめ、英文単行本にまとめSpringerより出版した。公開シンポジウム「強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用」成果報告会(公開)日時 平成16年12月10、11日場所 大阪大学中之島センター出席者 専門家など30名講演件数 14および研究評価英文単行本題目 「Ferroelectric Thin Films-Basic Properties and Device Physics for Memory Applications-」総ページ数 258