強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用

铁电薄膜物理性质的控制及其在下一代存储器件中的应用

• 批准号: 12134204
• 负责人: 奥山 雅則
• 金额: $ 11.14万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2004 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-12134204/
• 关键词: 希土類ドープ; MIFS-FET; リラクサ強誘電体; ドメイン構造観察; ケミカル・プロセッシング; MFIS(MFS)構造; 走査型非線形誘電率顕微鏡; 強誘電体・半導体接合; MFIS-FET; ケミカルプロセッシング; マルテンサイト型合金; 低温プロセス; 2次相転移点; PZT; 低温プロセッシング; モルフォトロピック相境界; 濃度相境界; 化学溶液プロセス; 新強誘電体探索; 成長初期過程; ペロブスカイト酸化物トラシジスタ

今日、高度化されまた今後も拡大化の続く情報化社会を支えるのがまさにコンピュータと通信機器であるが、特に記憶を司るメモリデバイスが非常に重要である。この半導体メモリの中で電源を切っても忘れない不揮発性メモリとして強誘電体メモリ(FeRAM)があり、その研究開発が進められている。しかし、強誘電体薄膜を信頼性の高いメモリデバイスに応用するには、多くの問題点が存在する。高集積化に伴う超微細化によって数十nmの厚さの強誘電体薄膜における分極反転の反復による強誘電性の劣化、分極履歴のシフト、分極の時間的劣化、絶縁性の劣化などである。これらの問題点は、微細な強誘電体薄膜の特性評価をし、薄膜作製法の改良と最適化で克服されようと多くの努力が払われているが、表面的改良ではなく、強誘電体ならびにその薄膜に起こる現象を根本的に理解し、種々の物性や素子特性を根本的に解明、制御する必要がある。本領域研究では薄膜での強誘電性の基本的要因を明確にし、これらを薄膜特有の現象や物性と絡み合わせながら、実験的に起こる様々な問題点を解決し、次世代強誘電体メモリデバイスの実用化をはかるべく、基礎的な性質を検討してきた。そこで、これらの成果を取りまとめ、平成12年度から15年度までの本領域の研究成果を広く公開するために、以下のような公開シンポジウムを開催した。さらに、成果を取りまとめ、英文単行本にまとめSpringerより出版した。公開シンポジウム「強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用」成果報告会(公開)日時 平成16年12月10、11日場所 大阪大学中之島センター出席者 専門家など30名講演件数 14および研究評価英文単行本題目 「Ferroelectric Thin Films-Basic Properties and Device Physics for Memory Applications-」総ページ数 258

Today, the development of the information society will be greatly enhanced. It is very important to support the development of communication equipment and special memory. The semiconductor power supply in the semiconductor device is switched off, and the non-reactive power supply is switched off. The research and development of FeRAM is progressing. There are many problems with the high reliability of ferroelectric thin films. High concentration is accompanied by ultra-fine, ultra-thin and ultra-thin ferroelectric thin films with a thickness of several tens of nm. These problems include evaluation of the properties of fine ferroelectric thin films, improvement and optimization of film fabrication methods, and efforts to overcome them. Improvement of the surface of ferroelectric thin films is necessary for fundamental understanding, fundamental understanding and control of physical properties and elemental characteristics. The research in this field aims to clarify the fundamental causes of the ferroelectric properties of thin films, to solve the problems associated with the phenomena, physical properties, and physical properties unique to thin films, and to investigate the fundamental properties of next-generation ferroelectric materials. The results of the research in this field are published in the following years. The English version of the book is published in English. Open Forum "Ferroelectric Thin Films-Basic Properties and Device Physics for Memory Applications"(Open) Date: December 10 - 11, 2016 Osaka University Nakanoshima Conference Attendees: 30 Presentations 14 Research Reviews English Version Title: Ferroelectric Thin Films-Basic Properties and Device Physics for Memory Applications-Total Pages 258

项目成果

Y.Watanabe: "Photoresponse of Zenner tunneling junction of Pb(Ti,Zr)O_3/SrTiO_3 at low temperature"J.Appl.Phys.. 94(11). 7187-7192 (2003)

Y.Watanabe：“Pb(Ti,Zr)O_3/SrTiO_3的Zenner隧道结在低温下的光响应”J.Appl.Phys.. 94(11)。

Hydrothermally Deposited PbTiO3 Epitaxial Thin Film

水热沉积 PbTiO3 外延薄膜

• 发表时间: 2005
• 期刊: Journal of Korean Physical Society 46・1
• 作者: T.Morita;Y.Cho
• 通讯作者: Y.Cho

Crystal Growth of Relaxor Ferroelectric Solid Solution Single Crystals near a Morphotropic Phase Boundary with High Curie Temperature and Some Properties

高居里温度弛豫铁电固溶体单晶近同形相界的晶体生长及某些性质

• 发表时间: 2004
• 期刊: Transactions of the Materials Research Society of Japan 29・4
• 作者: N.Yasuda;Y.Itoh;H.Ohwa;Y.Yamashita;M.Iwata;Y.Ishibashi
• 通讯作者: Y.Ishibashi

T.Hayashi: "Processing and Properties of Rare Earth Ion-Doped Bismuth Titanate Thin Films by Chemical Solution Deposition method"Jpn.J.Appl.Phys.. 42. 5222-5226 (2003)

T.Hayashi：“化学溶液沉积法稀土离子掺杂钛酸铋薄膜的加工和性能”Jpn.J.Appl.Phys.. 42. 5222-5226 (2003)

H.Tabata: "Control of the Oedered-Disordered State of B-site Ions in Ferroelectric Relaxor Superlattices"J.Kor.Phys.Soc.. 42. 1199-1202 (2003)

H.Tabata：“铁电弛豫超晶格中 B 位离子的 Oedered 无序状态的控制”J.Kor.Phys.Soc.. 42. 1199-1202 (2003)