二重励起光CVD法による二酸化珪素の低温成長とMOS構造の電子的性質

双激发光CVD法低温生长二氧化硅及MOS结构的电子特性

• 批准号: 61550229
• 负责人: 奥山 雅則
• 金额: $ 1.09万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1986
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1986 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-61550229/
• 关键词: 光CVD; 二酸化珪素; 紫外光; MOS; マイクロ波励起

真空紫外光と紫外光の二重励起光CVD法により二酸化珪素膜を作製し、さらにそのシリコンMOS構造の電気的特性について調べた。具体的にはジシラン、トリシラン、酸素を原料ガスとし、励起光源を重水素ランプ、共鳴線ランプ、低圧水銀ランプとして、二酸化珪素膜をシリコン基板上に室温から約350℃の温度で成長させた。ジシランと酸素を用いた成長では、重水素ランプと低温水銀ランプの二重光励起CVDにマイクロ波で励起した酸素ラジカルを導入して成長を行った。マイクロ波による励起は大きいもので、反応炉近くで励起したときの成長速度は同じ条件で重水素ランプ、共鳴線ランプ、低圧水銀ランプの光CVDのものより10倍程度大きくなった。そこでマイクロ波励起を少し離して成長を行ない、制御性を良くした。成長速度は基板温度上昇と共に少し下がる傾向を示し、気相中での反応は大きいことによるものと考えられる。赤外光吸収からSiH結合はマイクロ波励起によりなくなった。SiOHは光励起のない時は大きくなったが二重励起により再び減少した。そのシリコンMOS構造の界面電荷密度はマイクロ波励起のない時に比べかなり少さくなったが固定電荷密度は少し大きかった。さらにジシランより紫外光吸収の大きいトリシランと酸素を原料ガスCとして、二重励起CVDにより二酸化珪素膜を室温から約350℃でSi基板上に成長させた。成長速度、SiHやSiOHの結合量、MOSの界面電荷密度、固定電荷密度は基板温度と共に、ジシランの時と同様に減少する傾向を示した。しかし屈折率、エツチング速度は160〜250℃付近で最大となる特性を示した。これは膜の密度の増加とSiHやSiOHの結合量の変化に起因するものと考えられる。界面電荷密度は非常に小さくなり、3.6×【10^(10)】【cm^(-2)】e【V^(-1)】とCVDでは最小のものが得られた。

Vacuum ultraviolet light and ultraviolet light double excitation CVD method for the preparation of diacid silicon film, and now for the preparation of semiconductor MOS structure and electrical characteristics The specific conditions are: temperature, excitation light source, heavy halogen, resonance line, low pressure mercury, diacid halogen film, temperature on substrate, room temperature, about 350℃. The growth of acid and heavy water in the medium and low temperature of mercury in the medium and high temperature of mercury in the medium and low temperature of mercury in the medium and high temperature of the medium and high temperature of the medium The growth rate of photoCVD is 10 times higher than that of heavy water, resonance line and low pressure mercury under the same conditions. The wave of excitement rises and the growth is good. The growth rate is shown by the tendency of the substrate temperature to rise and decrease, and by the tendency of the substrate temperature to increase and decrease. Red light absorption SiH combination SiOH light excitation time is large, double excitation time is small, The interface charge density of the MOS structure is less than that of the fixed charge density when the excitation occurs. In addition, a dioxidised silicon film is grown on a Si substrate at room temperature of about 350 ° C using ultraviolet light-absorbing macromolecules and acids as raw materials for double-excited CVD. The growth rate, SiH/SiOH binding amount, MOS interface charge density, and fixed charge density tend to decrease with substrate temperature, temperature, and time. The refractive index and the maximum refractive index are shown at 160 ~ 250℃. The increase in the density of the film and the change in the amount of SiH and SiOH are the reasons for this. The interface charge density is very small, 3.6× [10^(10)][cm^(-2)] e [V^(-1)] and CVD is very small.