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IR-OPFET:強誘電体チタン酸鉛薄膜ゲートを持つ赤外線検出FETの試作

IR-OPFET:強誘電体チタン酸鉛薄膜ゲートを持つ赤外線検出FETの試作
IR-OPFET：具有铁电钛酸铅薄膜栅极的红外检测 FET 原型
批准号：
56550217
负责人：
奥山 雅則
金额：
$1.22万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1981
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1981 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-56550217/
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BiFeO3フェロイック薄膜の巨大強誘電性発現要因の解明と更なる増大への挑戦
  • 批准号：
    05F05073
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    奥山 雅則
  • 依托单位：
    Osaka University
強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用
  • 批准号：
    12134204
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $11.14万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    奥山 雅則
  • 依托单位：
    Osaka University
強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用
  • 批准号：
    12134205
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $28.61万
  • 财政年份：
    2000
  • 负责人：
    奥山 雅則
  • 依托单位：
    Osaka University
強誘電体薄膜の作製と応用
  • 批准号：
    97F00064
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    1998
  • 负责人：
    奥山 雅則
  • 依托单位：
    Osaka University