Bildung von ein- bis dreidimensionalen Strukturen aus mit Siliciumdioxid beschichteten Halbleiter- und Metallclustern

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Der Schwerpunkt dieses Vorhabens beinhaltet im einzelnen die Herstellung von niederdimensionalen Halbleiter- und Metallteilchen sowie deren Oberflächenmodifizierung und Ausbildung von ein- bis dreidimensionalen Strukturen. Die vor einigen Jahren im HMI als Schwerpunkt etablierten Präparationsmethoden zur Herstellung von kolloidalen Metall- und Halbleiterteilchen sollen in Hinsicht auf deren Monodispersität optimiert werden. Im weiteren Schritt werden die optischen Eigenschaften der hergestellten Teilchen studiert. Eine Oberflächenmodifikation der hergestellten Nanoteilchen, realisiert durch Beschichtung mit Siliziumdioxid, soll die unerwünschte Koagulation verhindern und die Stabilität der Teilchen gewährleisten. Durch den Einsatz der bei uns entwickelten elektrophoretischen Technik wurden geordnete Nanostrukturen aus den kolloidalen Teilchen mit und ohne Oberflächenmodifikation präpariert. Die neu entstandenen Nanostrukturen und deren Absorptionsspektren wurden auf der theoretischen Basis mit Hilfe der modifizierten MieTheorie überprüft. Die strukturellen Eigenschaften wurden auf theoretischem Wege durch molekulare Simulationen bestätigt.