Epitaxie von AlN auf Si für akustische Oberflächenwellenbauelemente

在Hinblick上的氮化铝-Schichten异质外延的Si（111）-Si（100）-衬底上的研究中，AlN-Schichten异质外延的上表面可被韦尔登吸收。AlN是一种压电陶瓷的固有特性，它具有良好的振动特性和良好的化学和机械稳定性。硅衬底上的AlN-Schichten复合是一种基于CMOS工艺的SAW器件集成的新技术。这种复合工艺完全依赖于Si（111）-Oberfläche和Si（100）-Zinkblende-AlN外延层的匹配。Oberfläche unter den Bedingungen der plasmagestützten Molekularstrahlepitaxie verbessern und andererseits Informationen bezüglich der Nutzungsmöglichkeiten solcher Schichten für SAW-Bauelemente liefern，在最好的硅技术集成韦尔登können中死去。安全问题的解决取决于合作的结果。

Im Rahmen des Projektes soll die Heteroepitaxie von Aluminiumnitrid-Schichten auf Si(111)- und Si(100)-Substraten besonders im Hinblick auf den Einsatz der AlN-Schichten für akustische Oberflächenwellenbauelemente untersucht werden. AlN ist wegen seiner piezoelektrischen Eigenschaften, seiner hohen Schallgeschwindigkeit und seiner guten chemischen und mechanischen Stabilität für den Einsatz in Oberflächenwellenbauelementen wie Hochfrequenzfilter oder Sensoren besonders gut geeignet. Die Kombination von AlN-Schichten auf Si-Substraten ist aus technologischen Gründen wegen der Integrationsmöglichkeit der SAW-Bauelemente mit der CMOS-Technologie besonders attraktiv.Die vorgesehenen Untersuchungen sollen einerseits das Verständnis des epitaktischen Wachstums von wurtzitischem AlN auf der Si(111)-Oberfläche und von Zinkblende-AlN auf der Si(100)-Oberfläche unter den Bedingungen der plasmagestützten Molekularstrahlepitaxie verbessern und andererseits Informationen bezüglich der Nutzungsmöglichkeiten solcher Schichten für SAW-Bauelemente liefern, die in die bestehende Si-Technologie integriert werden können. Die Erprobung der Anwendungen soll in Kooperation erfolgen.