Epitaxie von AlN auf Si für akustische Oberflächenwellenbauelemente

Im Rahmen des Projektes soll die Heteroexaxie von Aluminiumnitid-Schichten auf Si(111)-und Si(100)-衬底bauelemente unterustische Oberflächenwell enbauelement e untersuthht den。我们有一种压电特性、一种特殊的化学和机械稳定性以及一种高频率的过滤方法。Von Aln-Schichten auf Si(111)--Von Won Aln-Schichten auf Si(111)-Oberfl läche and von Zinkblende-Aln augen der Si(100)-Oberfläche der von Zinkingblende-Aln-Alauf der Si(100)-Oberflän unter ter den Bedingunten MIT de cmos-Technologiebaugén von von Von von Aln-Schichten auf Si(111)-Oberfläche and von Zinkblende-Aln augen der Si(100)-Oberflän unter ter ter den Bedingzender Pledzekestülbün e e n n e e n e o n e n e o n e e n n e n e n n e n e o n n e o n n o m o n n o n e e n o n e e n e n e e n e n e e n n e n e e n e n e e n e e n n e在库尔弗尔根，安文顿根和安文顿根索尔。

Im Rahmen des Projektes soll die Heteroepitaxie von Aluminiumnitrid-Schichten auf Si(111)- und Si(100)-Substraten besonders im Hinblick auf den Einsatz der AlN-Schichten für akustische Oberflächenwellenbauelemente untersucht werden. AlN ist wegen seiner piezoelektrischen Eigenschaften, seiner hohen Schallgeschwindigkeit und seiner guten chemischen und mechanischen Stabilität für den Einsatz in Oberflächenwellenbauelementen wie Hochfrequenzfilter oder Sensoren besonders gut geeignet. Die Kombination von AlN-Schichten auf Si-Substraten ist aus technologischen Gründen wegen der Integrationsmöglichkeit der SAW-Bauelemente mit der CMOS-Technologie besonders attraktiv.Die vorgesehenen Untersuchungen sollen einerseits das Verständnis des epitaktischen Wachstums von wurtzitischem AlN auf der Si(111)-Oberfläche und von Zinkblende-AlN auf der Si(100)-Oberfläche unter den Bedingungen der plasmagestützten Molekularstrahlepitaxie verbessern und andererseits Informationen bezüglich der Nutzungsmöglichkeiten solcher Schichten für SAW-Bauelemente liefern, die in die bestehende Si-Technologie integriert werden können. Die Erprobung der Anwendungen soll in Kooperation erfolgen.