Epitaxie von AlN auf Si für akustische Oberflächenwellenbauelemente

in Rahmen des Projektes soll die异质外延的氮化铝- schichten auf Si(111)-和Si(100)-衬底的异质外延，in Hinblick auf den Einsatz der AlN-Schichten fr akustische Oberflächenwellenbauelemente untersucht werden。[1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1]死Kombination冯AlN-Schichten Si-Substraten汪汪汪是来自technologischen Grunden尔Integrationsmoglichkeit der SAW-Bauelemente麻省理工学院der CMOS-Technologie感兴趣attraktiv。Die vorgesehenen Untersuchungen sollen einterseits das Verständnis des epitaktischen Wachstums von wurtzitischem AlN aufder Si(111)-Oberfläche und von Zinkblende-AlN aufder Si(100)-Oberfläche und zinkblenden Bedingungen der plasmagest<s:1> tzten molekularstrahlepitaxe verbessern und andererseits Informationen bezglich der Nutzungsmöglichkeiten solcher Schichten f<e:1> r SAW-Bauelemente liefen, Die in Die bestehene Si- technology integrieert werden können。在合作学研究中，对安文登根的误差分析。

Im Rahmen des Projektes soll die Heteroepitaxie von Aluminiumnitrid-Schichten auf Si(111)- und Si(100)-Substraten besonders im Hinblick auf den Einsatz der AlN-Schichten für akustische Oberflächenwellenbauelemente untersucht werden. AlN ist wegen seiner piezoelektrischen Eigenschaften, seiner hohen Schallgeschwindigkeit und seiner guten chemischen und mechanischen Stabilität für den Einsatz in Oberflächenwellenbauelementen wie Hochfrequenzfilter oder Sensoren besonders gut geeignet. Die Kombination von AlN-Schichten auf Si-Substraten ist aus technologischen Gründen wegen der Integrationsmöglichkeit der SAW-Bauelemente mit der CMOS-Technologie besonders attraktiv.Die vorgesehenen Untersuchungen sollen einerseits das Verständnis des epitaktischen Wachstums von wurtzitischem AlN auf der Si(111)-Oberfläche und von Zinkblende-AlN auf der Si(100)-Oberfläche unter den Bedingungen der plasmagestützten Molekularstrahlepitaxie verbessern und andererseits Informationen bezüglich der Nutzungsmöglichkeiten solcher Schichten für SAW-Bauelemente liefern, die in die bestehende Si-Technologie integriert werden können. Die Erprobung der Anwendungen soll in Kooperation erfolgen.