Strukturbildung und Lokalisierung in nichtinstantanen Medien

电气和光学设计中的照明，可在最严酷的光学照明条件下进行。 Das Besondere dersuchungen besteht darin, dass infolge der hohen optischen Nichtlinearität resonanter, 电动泵 Halbleiter mit geringen optischen Leistungen im CW-Betrieb im Bereich von etwa 100 mW gearbeitet werden kann. Solche Leistungen können direkt mit Laserdioden erzeugt werden。在此基础上，线性光学效果，形成了孤立的结构，使光的控制变得更加简单，并在以下方面进行了实验。 Die dabei earbeiteten Erkenntnisse könnten für die spätere Entwicklung neuer Bauelemente in der Kommunikationstechnik genutzt werden.Die Grundandordnung der wellenleitenden Schichtsysteme soll wie be i einem optischen Halbleiterverstärker inGaAs-Quantum Well in Zentrum eines Flussrichtung betriebenen p-n-Übergangs sein。 Das an der Stirnfläche eingestrahlte light soll mit dem Interbandübergang des Quantum Wells resonant sein.在与 Pikosekunden verursacht 的时间变化中，Ladungsträgerdynamik 会产生共振。 Solitonenlösungen sind in reinen Halbleiterverstärkerstrukturen (SOA) 不稳定。 Es ist deshalb vorgesehen, eine verteilte sättigbare für räumliche Solitonen zu Implementieren 的吸收。 Damit soll die Bildung und Ausbreitung konventioneller räumlicher Solitonen sowohl in 均质 SOAs 还包括横向结构 SOA (aktiven Wellenleiterarrays) mit sättigbaren Absorbern Experimentell undersucht werden。 Vorgesehen sind dabei auch Untersuchungen zur optp-optischen Steuerung, wie beispielsweise die Kollision von Solitonen und die Führung von Licht im Solitonenkanal in SOA sowie das optische Einschreiben von Defekten in SOA 横向结构。

Die Lichtausbreitung in elektrisch und optisch steuerbaren, aktiven halbleitenden Wellenleiteranordnungen mit starker optischer Nichtlinearität soll untersucht werden. Das Besondere der vorgesehenen Untersuchungen besteht darin, dass infolge der hohen optischen Nichtlinearität resonanter, elektrisch gepumpter Halbleiter mit geringen optischen Leistungen im cw-Betrieb im Bereich von etwa 100 mW gearbeitet werden kann. Solche Leistungen können direkt mit Laserdioden erzeugt werden. Damit wird versucht, nichtlinear-optische Effekte, wie die Formation räumlicher Solitonen, die auch zur Steuerung von Licht mittels Licht eingesetzt werden können, mit moderaten Leistungen experimentell zu untersuchen. Die dabei erarbeiteten Erkenntnisse könnten für die spätere Entwicklung neuer Bauelemente in der Kommunikationstechnik genutzt werden.Die Grundandordnung der wellenleitenden Schichtsysteme soll wie bei einem optischen Halbleiterverstärker ein InGaAs-Quantum Well im Zentrum eines in Flussrichtung betriebenen p-n-Übergangs sein. Das an der Stirnfläche eingestrahlte Licht soll mit dem Interbandübergang des Quantum Wells resonant sein. Die starke nichtinstante optische Nichtlinearität in resonanten Halbleitern wird durch die Ladungsträgerdynamik im Zeitbereich von Pikosekunden verursacht. Solitonenlösungen sind in reinen Halbleiterverstärkerstrukturen (SOA) instabil. Es ist deshalb vorgesehen, eine verteilte sättigbare Absorption für räumliche Solitonen zu implementieren. Damit soll die Bildung und Ausbreitung konventioneller räumlicher Solitonen sowohl in homogenen SOAs als auch in lateral strukturierten SOAs (aktiven Wellenleiterarrays) mit sättigbaren Absorbern experimentell untersucht werden. Vorgesehen sind dabei auch Untersuchungen zur optp-optischen Steuerung, wie beispielsweise die Kollision von Solitonen und die Führung von Licht im Solitonenkanal in SOAs sowie das optische Einschreiben von Defekten in lateral strukturierte SOAs.