Herstellung von Quasi-Substraten durch laterales epitaktisches Überwachsen (ELOG) mit Chlorhydrid-Gasphasenepitaxie

Ziel de Projektes ist die Herstellung and Präparation von GaN准衬底物与氯化物气相外延。Zwei Ansätze sollen dabei verfolgt werden。Zum einen die Optimierung von HVPE Volumenschichten durch die Verwendung von GaN低温Pufferschichten HVPE Prozeß， zur Reduzierung der thermisch industrierten verspanungen zwischen substrate and Schicht。Zum anderen das lateral epitaktische Überwachsen von mit SiO2 strkturierten, GaN Schichten mittels HVPE，是zusätzlich eine Reduzierung der Versetzungsdichte bewirkt。Der mögliche Einbau von Störstellen aus den SiO2 Masken soll dabei beestimmt werden。光电本征特性的研究与应用。darberhinaus sollen die so hergestellten HVPE Volumenschichten and versetzungsreduzierten ELOG Substrate den Schwerpunkts partner, die MOCVD oder MBE between, als Substratmaterial zur verf<e:1> gung gestellt werden。

Ziel des Projektes ist die Herstellung und Präparation von GaN Quasi-Substraten mit der Chlorhydrid-Gasphasenepitaxie. Zwei Ansätze sollen dabei verfolgt werden. Zum einen die Optimierung von HVPE Volumenschichten durch die Verwendung von GaN Niedertemperatur Pufferschichten im HVPE Prozeß, zur Reduzierung der thermisch induzierten Verspannungen zwischen Substrat und Schicht. Zum anderen das laterale epitaktische Überwachsen von mit SiO2 strukturierten, GaN Schichten mittels HVPE, was zusätzlich eine Reduzierung der Versetzungsdichte bewirkt. Der mögliche Einbau von Störstellen aus den SiO2 Masken soll dabei bestimmt werden. Ebenso der Einfluß der reduzierten Versetzungsdichte auf die elektrischen und optischen Eigenschaften. Darüber hinaus sollen die so hergestellten HVPE Volumenschichten und versetzungsreduzierten ELOG Substrate den Schwerpunkts Partnern, die MOCVD oder MBE betreiben, als Substratmaterial zur Verfügung gestellt werden.