MOCVD von (InGaAl)N/GaN Schichtstrukturen auf strukturiertem Silizium-Substrat

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Ziel des Vorhabens ist die Herstellung und Charakterisierung von (InGaAl)N/GaN Schichtstrukturen auf Silizium-Substrat für photonische Bauelemente im grünen bis blauen Spektralbereich. Es sollen Schichten realisiert werden, welche hinsichtlich ihrer strukturellen und optischen Qualität vergleichbar jenen auf den derzeit gebräuchlichen Substratmaterialien Saphir und Siliziumcarbid sind. Die Schichten sollen mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie hergestellt werden. Hierfür soll das epitaktische Wachstum von (InGaAl)N/GaN auf planarem, auf planar maskiertem und mit V-Gräben strukturiertem Si-Substrat als Alternative zu den oben genannten Substraten untersucht werden, um einerseits die Defektdichte zu reduzieren und andererseits all die bekannten Vorzüge von Silizium wie Verfügbarkeit großflächiger, kostengünstiger Substrate und Möglichkeit der Integration mit elektronischen Bauelementen zu nutzen.