MOCVD von (InGaAl)N/GaN Schichtstrukturen auf strukturiertem Silizium-Substrat
结构化硅衬底上 (InGaAl)N/GaN 层结构的 MOCVD
基本信息
- 批准号:5170330
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Priority Programmes
- 财政年份:1999
- 资助国家:德国
- 起止时间:1998-12-31 至 2003-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Ziel des Vorhabens ist die Herstellung und Charakterisierung von (InGaAl)N/GaN Schichtstrukturen auf Silizium-Substrat für photonische Bauelemente im grünen bis blauen Spektralbereich. Es sollen Schichten realisiert werden, welche hinsichtlich ihrer strukturellen und optischen Qualität vergleichbar jenen auf den derzeit gebräuchlichen Substratmaterialien Saphir und Siliziumcarbid sind. Die Schichten sollen mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie hergestellt werden. Hierfür soll das epitaktische Wachstum von (InGaAl)N/GaN auf planarem, auf planar maskiertem und mit V-Gräben strukturiertem Si-Substrat als Alternative zu den oben genannten Substraten untersucht werden, um einerseits die Defektdichte zu reduzieren und andererseits all die bekannten Vorzüge von Silizium wie Verfügbarkeit großflächiger, kostengünstiger Substrate und Möglichkeit der Integration mit elektronischen Bauelementen zu nutzen.
Ziel des Vorhabens ist die Herstellung and Charakterisierung von(InGaAl)N/GaN Schichtstrukturen auf Silizium-衬底für Phoonische Bauelemente im Grünen bis Blauen Spektralbereich.他说:“这是一件非常重要的事情,因为这是一件非常重要的事情。他是一名金属组织者,他的外延是他的。它的平面、平面掩模、衬底和衬底的选择都是不同的,这些衬底不同于传统的衬底,也不同于传统的衬底和衬底的集成。
项目成果
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