Neuartige Konzepte für II-VI-basierte Halbleiterlaser für den grünen Spektralbereich

Die limitierte Lebensdauer herkömmlicher，grün emitttierender II-VI Laserdioden，welche hauptsächlich durch die sogenannten“Dark Line Defects”bedingt ist，erfordert die systematische Weiterentwicklung der von uns im ersten Förderzeitraum neu entworfenen Konzepte zur Herstellung langlebiger Bauelemente.我们使用的ZnSe激光二极管寿命长达梅尔以上20个面，这主要是由于氮化锂晶体的发展造成的，因此需要进行优化。迪凯对氮化锂扩散的影响和对结构的影响。在与FerdinandBraun-Institut的合作中，在德国室温下使用寿命梅尔的激光二极管可以达到韦尔登50小时。Die MBE-Schichten hierfür韦尔登大学提供给不莱梅大学。基于InP衬底的ZnMgCdSeTe材料体系解决了p/n结构和MOCVD发光韦尔登的问题。ZnMgSSe/GaAs材料体系的形成是在InP衬底上进行的。P-Dotierung wesentlich.激活介质的优化需要在GaAs衬底上的ZnSe-基质中对CdSe量子点进行优化。

Die limitierte Lebensdauer herkömmlicher, grün emittierender II-VI Laserdioden, welche hauptsächlich durch die sogenannten "Dark Line Defects" bedingt ist, erfordert die systematische Weiterentwicklung der von uns im ersten Förderzeitraum neu entworfenen Konzepte zur Herstellung langlebiger Bauelemente. Die von uns bisher an ZnSe-basierten Laserdioden erzielten Lebensdauerverlängerungen um mehr als das 20-fache, welche maßgeblich durch die Entwicklung eines lithiumnitridhaltigen Kontakts beeinflußt wurden, bedürfen einer weiteren Optimierung. Künftig ist der Einfluß der Dicke sowie die Diffusion des Lithiumnitrids und der damit verbundenen Veränderungen in der Probenstruktur zu erklären. In Kombination mit der Verbesserung des Aufbaus der Bauelemente in Zusammenarbeit mit dem FerdinandBraun-Institut sollen Laserdioden mit einer Lebensdauer im Raumtemperatur-Dauerstrichbetrieb von deutlich mehr als 50 h hergestellt werden. Die MBE-Schichten hierfür werden von der Universität Bremen zur Verfügung gestellt. Auf Basis des ZnMgCdSeTe-Materialsystems auf InP-Substrat sollen p/n-Strukturen und LEDs mittels MOCVD hergestellt werden. Im Gegensatz zu dem ZnMgSSe/GaAs-Materialsystem, ist auf InP-Substrat die Beimengung von Te zur Gitteranpassung notwendig. Dies erleichtert die P-Dotierung wesentlich. Zur Optimierung des aktiven Mediums sollen die Ergebnisse zur Herstellung von CdSe-Quantenpunkten in ZnSSE-Matrix auf GaAs-Substrat eine wichtige Grundlage bilden.