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超薄膜Geを用いた2次元電子ガス素子の基礎研究

超薄膜Geを用いた2次元電子ガス素子の基礎研究
超薄膜Ge薄膜二维电子气器件基础研究
批准号：
X00090----355137
负责人：
榊 裕之
金额：
$1.6万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1978
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1978 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X00090----355137/
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先端量子ドット構造のエピタキシャル合成とその電子準位の制御に関する研究
  • 批准号：
    03F03652
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    榊 裕之
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
先端量子ドット構造のエピタキシャル合成とその電子準位の制御
  • 批准号：
    03F00652
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    榊 裕之
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
単一および少数量子ドット構造の電気・光応答と素子応用の研究
  • 批准号：
    01F00501
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    2001
  • 负责人：
    榊 裕之
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
量子ドット構造による電子の制御と次世代エレクトロニクスへの応用
  • 批准号：
    12CE2004
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for COE Research
  • 资助金额：
    $1092.42万
  • 财政年份：
    2000
  • 负责人：
    榊 裕之
  • 依托单位：
    The University of Tokyo