半導体超薄膜における電子物性とデバイス応用に関する研究

超薄半导体薄膜电子特性及器件应用研究

基本信息

  • 批准号:
    56122028
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 168.13万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
  • 财政年份:
    1981
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1981 至 1985
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本年は特別推進研究の成果とりまとめの年であり、従来の研究を更に促進するとともに、成果報告書の執筆を行った。以下に研究上の主要成果について述べる。(1) 超薄膜構造の形成と量子準位に関しては、(1-a)GaAsとAlGaAsヘテロ界面に生ずる一原子層オーダーの界面凹凸の成因を調べ、成長を中断して原子の横方向拡散の促進により、ほぼ完全な平滑面の得られることを古に先駆けて示した。又(1-b)量子井戸内の正孔の量子準位に関する厳密な理論を完成させ、正孔の分散関係の非放物線性や異方性の理論的解釈を可能にしている。更に(1-c)変調ドープした量子井戸で多体効果のため禁制帯幅の縮少することを理論的に初めて明らかにしている。(2) ヘテロ構造に沿う電子伝導に関しては、(2-a)電子移動度のキャリヤ密度Nsと温度Tへの依存性を調べて、理論と対比し、低温ではクーロン散乱の理論で極めてよく説明されること、中温度域では音響フォノンによる散乱でほぼ説明されること、高温又は高電界領域では光学フォノンによる散乱で支配されることを示した。又(2-b) GaSb量子井戸では、量子井戸幅Lzの減少に伴い、「点とL点のエネルギーの上下関係が逆転して、移動度が著しい変化を示すことなどが示された。(3) ヘテロ界面に垂直な方向の伝導に関しては、(3-a)二重障壁トンネルダイオードの電流成分が障壁構造に強く依存することを理論的・実験的に示して、最適構造の採用により世界で最高性能を達成した。又(3-b) 多重量子井戸において隣接井戸間では、電界印加によって量子準位の結合が生じて、螢光線の分裂や負性抵抗の生ずることなどを初めて示している。(4)強磁場下の分数量子ホール効果については、伝導率の温度依存性の詳細な測定解析から基底準位と励起準位の間隔や電子-正孔対称性などに関する新知見を得ると共に理論的に描像解明の研究を行った。
This year は の special propulsion research と り ま と め の years で あ り, 従 research を の more に promote す る と と も に の, results report written line を っ た. The following are the main achievements of に in the research に に て て て て べる described in べる. (1) the ultrathin membrane structure の formation と quantum bit に masato し て は, (1 - a) GaAs と AlGaAs ヘ テ ロ interface に raw ず る one atomic layer オ ー ダ ー の interface concave and convex の causes を べ, growth を interrupt し て atomic の scattered の transverse direction company promote に よ り, ほ ぼ な completely smooth surface の must ら れ る こ と を ancient に 駆 first け て in し た. (1 - b) quantum well hole opens inside の is の quasi a に masato す る 厳 dense な theory を complete さ せ, scattered hole is の masato の non linear や put things different party の theory solution 釈 を may に し て い る. More に (1 - c) - adjustable ド ー プ し た quantum well opens で multi-body unseen fruit の た め banned 帯 picture の shrunk す る こ と を theory early に め て Ming ら か に し て い る. (2) ヘ テ に ロ structure along the う electronic 伝 guide に masato し て は, (2 - a) electronic mobile の キ ャ リ ヤ density Ns と temperature T へ の dependency を adjustable べ て, theoretical と than し seaborne, low temperature で は ク ー ロ ン で extremely messy の theory め て よ く illustrate さ れ る こ と, the temperature in the domain で は sound フ ォ ノ ン に よ る scattered で ほ ぼ illustrate さ れ る こ と, high temperature and high は electricity industry The field is で た optics フォノ による による scattered で dominating される とを とを indicating た. And GaSb quantum well (2 - b) opens で は, quantum well opens Lz の reduce に い, "point と L point の エ ネ ル ギ ー の fluctuation masato inverse planning department が し て, mobile degrees が し い variations change を shown す こ と な ど が shown さ れ た. (3) ヘ テ ロ interface に vertical direction な の 伝 guide に masato し て は, 3 - (a) double barrier ト ン ネ ル ダ イ オ ー ド の current component が barrier structure strong に く dependent す る こ と を theory, be 験 に し in て, optimal structure の using に よ り world で maximum performance を reached し た. And multiple quantum well (3 b) opens に お い て 隣 connect well opens between で は, electricity industry Inca に よ っ て quasi quantum bit の combining が raw じ て, fluorescent split line の や negative resistance の raw ず る こ と な ど を early め て in し て い る. (4) under strong magnetic field の fractional quantum ホ ー ル unseen fruit に つ い て は, 伝 conductivity の temperature dependency の な determination in detail analytical か ら basal quasi a と who wound up quasi の interval や electronic - hole is said seaborne sex な ど に masato す る knowledge see を too る と に theory of に stroke like interpret の を line っ た.

项目成果

期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Phys.Rev.B31-12. (1985)
物理修订版 B31-12。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
J.Appl.Phys.58-11. (1985)
J.Appl.Phys.58-11。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
J.Phys.Soc.Jpn.54-10. (1985)
J.Phys.Soc.Jpn.54-10。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Phys.Rev.Lett. 54-12. (1985)
物理评论快报。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Jpn.J.Appl.Phys.24-6. (1985)
Jpn.J.Appl.Phys.24-6。
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  • 发表时间:
  • 期刊:
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    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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  • 通讯作者:
    榊 裕之
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    2007
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  • 通讯作者:
    榊 裕之

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    1980
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    $ 168.13万
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