分子線エピタキシーを用いたショットキ障壁の理想的形成法とその新しい制御法の研究

肖特基势垒理想形成方法及分子束外延控制新方法研究

基本信息

  • 批准号:
    X00090----555121
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.73万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    1980
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1980 至 1981
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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