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分子線エピタキシーを用いたショットキ障壁の理想的形成法とその新しい制御法の研究

分子線エピタキシーを用いたショットキ障壁の理想的形成法とその新しい制御法の研究
肖特基势垒理想形成方法及分子束外延控制新方法研究
批准号：
X00090----555121
负责人：
榊 裕之
金额：
$1.73万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1980
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1980 至 1981
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X00090----555121/
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先端量子ドット構造のエピタキシャル合成とその電子準位の制御に関する研究
  • 批准号：
    03F03652
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    榊 裕之
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
先端量子ドット構造のエピタキシャル合成とその電子準位の制御
  • 批准号：
    03F00652
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    榊 裕之
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
単一および少数量子ドット構造の電気・光応答と素子応用の研究
  • 批准号：
    01F00501
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    2001
  • 负责人：
    榊 裕之
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
量子ドット構造による電子の制御と次世代エレクトロニクスへの応用
  • 批准号：
    12CE2004
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for COE Research
  • 资助金额：
    $1092.42万
  • 财政年份：
    2000
  • 负责人：
    榊 裕之
  • 依托单位：
    The University of Tokyo