Einzelelektronentunneln durch InAs-Quantenpunkte

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Auf Grund der Gitterfehlanpassung wachsen unter bestimmten Bedingungen (Stranski-Krastanov-Wachstum) auf Galliumarsenid- bzw. Aluminiumarsenid-Schichten Quantenpunkte aus Indiumarsenid. Im Rahmen des Projekts sollen derartige Quantenpunkte mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) in resonante Tunnelstrukturen eingebaut werden. Dabei soll zum einen der Wachstumsprozeß von selbstordnenden InAs-Quantenpunkten auf AlAs untersucht werden und zum anderen soll der elektronische Transportprozeß durch diese Qauntenpunkte in den Tunneldioden, d.h. das Tunneln einzelner Elektronen durch die Quantenpunkte, Gegenstand eingehender Untersuchungen sein. Insbesondere soll durch Messung der Temperatur- und Magnetfeldabhängigkeit der I-V Kennlinien der Transportprozeß physikalisch identifiziert und interpretiert werden. Neben einfachen Schichten mit InAs-Quantenpunkten sollen auch Mehrfachschichten - gestapelte Quantenpunkte - hergestellt werden, um experimentellen Zugang zu Kopplungseffekten zwischen Quantenpunkten zu erhalten.