Einzelelektronentunneln durch InAs-Quantenpunkte

Auf Grund der Gitterfehlanpassung wachsen unter bestimten Bedingungen (stranski - krstanov - wachstum) of Galliumarsenid- bzw。砷化铝-砷化铟。本文主要研究了共振隧道结构中的分子应力分布（MBE）问题。德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国Insbesondere soll后军队Messung der温-和Magnetfeldabhangigkeit der电流-电压Kennlinien der Transportprozeß报道identifiziert和interpretiert了。在实验中，Zugang zu kopphgseffekten zwischen Quantenpunkten zu erhalten。

Auf Grund der Gitterfehlanpassung wachsen unter bestimmten Bedingungen (Stranski-Krastanov-Wachstum) auf Galliumarsenid- bzw. Aluminiumarsenid-Schichten Quantenpunkte aus Indiumarsenid. Im Rahmen des Projekts sollen derartige Quantenpunkte mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) in resonante Tunnelstrukturen eingebaut werden. Dabei soll zum einen der Wachstumsprozeß von selbstordnenden InAs-Quantenpunkten auf AlAs untersucht werden und zum anderen soll der elektronische Transportprozeß durch diese Qauntenpunkte in den Tunneldioden, d.h. das Tunneln einzelner Elektronen durch die Quantenpunkte, Gegenstand eingehender Untersuchungen sein. Insbesondere soll durch Messung der Temperatur- und Magnetfeldabhängigkeit der I-V Kennlinien der Transportprozeß physikalisch identifiziert und interpretiert werden. Neben einfachen Schichten mit InAs-Quantenpunkten sollen auch Mehrfachschichten - gestapelte Quantenpunkte - hergestellt werden, um experimentellen Zugang zu Kopplungseffekten zwischen Quantenpunkten zu erhalten.