Untersuchung von Kopplungseffekten beim Einzelelektronentunneln durch einzelne und gekoppelte GaAs-Quantenpunkte

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Für das Verständnis des Einzelelektronen-Tunnelprozesses sind Kopplungseffekte zwischen Emitter- und Quantenpunktzuständen von fundamentalem Interesse. Im Rahmen dieses Projektes soll der Transportprozess einzelner Elektronen durch vertikale GaAsQuantenpunkte hinsichtlich des Einflusses der lokalen Zustandsdichte im Emitter sowie in Bezug auf Wechselwirkungsmechanismen zwischen Emitter und Quantenpunkt untersucht werden. Hierbei sind resonante Tunneldioden unterschiedlicher Durchmesser bis in den Submikrometerbereich und unterschiedlicher Barrierenasymmetrie Gegenstand eingehender Messungen. Vielteilcheneffekte in gekoppelten Quantenpunktsystemen sollen in stark asymmetrischen Dreifachbarrierenstrukturen untersucht werden. Im Grenzfall sehr starker Asymmetrie soll durch die Wahl einer dünnen äußeren Tunnelbarriere eine starke Ankopplung der miteinander gekoppelten Quantenpunkte an den Emitter erreicht werden, so daß sich auch in solchen Strukturen das Regime der starken Kopplung an die Zuleitungszustände untersuchen lassen wird.