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超高真空システムを用いた光励起 CVD法による絶縁膜/GaAs界面の研究

超高真空システムを用いた光励起 CVD法による絶縁膜/GaAs界面の研究
超高真空光激发CVD法绝缘膜/GaAs界面研究
批准号：
59750231
负责人：
横山 新
金额：
$0.58万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1984
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1984 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-59750231/
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磁気光学リング共振器を用いた超小型高速光スイッチの研究
  • 批准号：
    16656110
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.18万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    横山 新
  • 依托单位：
    Hiroshima University
電子ビーム励起原子層選択成長によるナノ構造形成法の研究
  • 批准号：
    14655122
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $1.86万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    横山 新
  • 依托单位：
    Hiroshima University
2重ゲート極微細MOSトランジスタによる単電子制御
  • 批准号：
    10127222
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    1998
  • 负责人：
    横山 新
  • 依托单位：
    Hiroshima University
2重ゲート極微細MOSトランジスタによる単電子制御
  • 批准号：
    09233221
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.02万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    横山 新
  • 依托单位：
    Hiroshima University