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超高真空システムを用いた光励起 CVD法による絶縁膜/GaAs界面の研究
超高真空光激发CVD法绝缘膜/GaAs界面研究
基本信息
- 批准号：59750231
- 负责人：
- 金额：$ 0.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份：1984
- 资助国家：日本
- 起止时间：1984 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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