课题基金 / 基金详情

Si基板上への高品質GaAsの低温成長

Si基板上への高品質GaAsの低温成長
Si 衬底上低温生长高质量 GaAs
批准号：
63750276
负责人：
横山 新
金额：
$0.58万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1988
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1988 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-63750276/
关键词：

项目摘要

项目成果

横山 新的其他基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
磁気光学リング共振器を用いた超小型高速光スイッチの研究
  • 批准号：
    16656110
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.18万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    横山 新
  • 依托单位：
    Hiroshima University
電子ビーム励起原子層選択成長によるナノ構造形成法の研究
  • 批准号：
    14655122
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $1.86万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    横山 新
  • 依托单位：
    Hiroshima University
2重ゲート極微細MOSトランジスタによる単電子制御
  • 批准号：
    10127222
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    1998
  • 负责人：
    横山 新
  • 依托单位：
    Hiroshima University
2重ゲート極微細MOSトランジスタによる単電子制御
  • 批准号：
    09233221
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.02万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    横山 新
  • 依托单位：
    Hiroshima University