Entwicklung von innovativen Kontaktierungsmethoden für Leistungsbauelemente sowie Erstellung eines Simulationswerkzeugs für statische und dynamische Berechnungen der Stromverteilung in Halbleiterbauelementen hoher Leistung

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Bei modernen Bauelementen der Leistungselektronik kann in vielen Fällen das volle Potential der eigentlichen Halbleiterbauelemente nur unvollständig ausgeschöpft werden. Ursache hierfür sind Limitierungen, die durch die Verpackung des Halbleiterchips entstehen. Nicht optimale Wärmeableitung, hohe Kontaktwiderstände, ungleichmäßige Stromverteilung über den Halbleiter und Zuverlässigkeitsprobleme führen häufig dazu, daß das eigentliche Bauelement oder Modul überdimensioniert werden muß, um diesen Problemen zu begehen. Im Rahmen des beantragten Projekts sollen verbesserte Kontaktierungsmöglichkeiten für wichtige Bauelemente der Leistungselektronik wie IGBTs und MOSTransistoren entwickelt, charakterisiert und optimiert werden. Dies soll ermöglichen, die erwähnten Begrenzungen durch das Packaging zu überwinden und damit Bauelemente größerer Leistungsfähigkeit bzw. geringerer Baugröße und verbesserter Zuverlässigkeit verfügbar zu machen.