Geometrisch-elektronische Eigenschaften von Metall-Chalkogenid-Schichtkristallstrukturen

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Es sollen strukturelle und elektronische Eigenschaften von ausgewählten Metall-Sulfid-Schichtkristallsystemen untersucht werden, die von uns epitaktisch Lage für Lage unter UHVBedingungen und von anderen Mitgliedern der Forschergruppe durch chemische Präparationsverfahren hergestellt werden. Neben Fehlanpassungsverbindungen des Typs[MS][TS2], bei denen Schichten mit einem Übergangsmetall T und mit einem Hauptgruppenmetall M abwechseln, sollen auch vertikale Übergitter [TS][T'S2] mit alternierenden Übergangsmetallen untersucht werden. Dabei werden vor allem oberflächenempfindliche Meßmethoden eingesetzt. Die Untersuchungen werden Information über Wachstumsvorgänge wie Bildung von Clustern, Inseln und Fehlstellen an Grenzflächen sowie Interkalation bei Bedeckung mit Alkalimetallen liefern, die spektroskopischen Methoden darüber hinaus Information über die elektronische Bandstruktur besetzter und unbesetzter Zustände und damit auch über die strukturelle Stabilität und zum mikroskopischen Verständnis der vielfältigen makroskopischen Phänomene der Systeme geben.