刷新
{{item.name}}会员
Theoretical study for the emergence of new electronic properties in atomically thin films utilizing substrates
利用基底在原子薄膜中出现新电子特性的理论研究
基本信息
- 批准号：26390063
- 负责人：
- 金额：$ 3.24万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（5）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electronic states of SnTe and PbTe (001) monolayers with supports
- DOI：10.1016/j.susc.2015.04.009
- 发表时间：2015-09-01
- 期刊：
- 影响因子：1.9
- 作者：Kobayashi, Katsuyoshi
- 通讯作者：Kobayashi, Katsuyoshi
IV-VI monolayers with alkaline-earth chalcogenide supports
具有碱土硫族化物载体的 IV-VI 单分子层
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yoshihisa Suzuki;Yoshiaki Hattori;Jun Nozawa;Satoshi Uda;Akiko Toyotama and Junpei Yamanaka;Ken Kishimoto and Susumu Okada;Katsuyoshi Kobayashi
- 通讯作者：Katsuyoshi Kobayashi
Electronic States of Non-freestanding Topological Crystalline Insulator Thin Films
非独立式拓扑晶体绝缘体薄膜的电子态
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：W. Okubo;S. Yagi;Y. Hijikata;K. Onabe;and H. Yaguchi;Katsuyoshi Kobayashi
- 通讯作者：Katsuyoshi Kobayashi
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Kobayashi Katsuyoshi其他文献
Realization of Pure Circular Polarization Electroluminescence at Room Temperature with Spin-LEDs;
利用 Spin-LED 实现室温纯圆偏振电致发光；
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Sumida Kazuki;Takeda Yukiharu;Kusaka Shotaro;Kobayashi Katsuyoshi;Hirahara Toru;H. Munekata and N. Nishizawa - 通讯作者：
H. Munekata and N. Nishizawa
Method of forming time-reversed LEED states from repeated-slab calculations
通过重复板计算形成时间反转 LEED 状态的方法
- DOI：
10.1088/1361-648x/abb444 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
S. Namba;H. Fujishiro;M.D. Ainslie;T. Naito;and Y. Yanagi;Kobayashi Katsuyoshi - 通讯作者：
Kobayashi Katsuyoshi
Kobayashi Katsuyoshi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似国自然基金
先进封装及基板用中空二氧化硅微球及复合材料
- 批准号：2025C01178
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
功率器件用高导热高强韧氮化硅陶瓷散热基板的研
究
- 批准号：2024JJ5406
- 批准年份：2024
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
飞秒激光贝塞尔光束焊接耐高温陶瓷基板的热力耦
合机制
- 批准号：2024JJ5080
- 批准年份：2024
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
共烧陶瓷基板内散热微结构的复合微加工基础研究
- 批准号：n/a
- 批准年份：2023
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
以文昌鱼为模型研究脊椎动物腺垂体基板的起源与功能演化
- 批准号：
- 批准年份：2022
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
集成电路封装用TiN薄膜/AlN陶瓷基板的电-热-力学性能协同调控机制研究
- 批准号：
- 批准年份：2022
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
内嵌微流道陶瓷基板制备与封装技术研究
- 批准号：62274069
- 批准年份：2022
- 资助金额：59 万元
- 项目类别：面上项目
面向氧化铝陶瓷基板的纳秒/毫秒复合激光打孔机理与方法研究
- 批准号：
- 批准年份：2021
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
基于显微视觉的高密度柔性封装基板微检测的优化、控制与视觉处理
- 批准号：
- 批准年份：2021
- 资助金额：57 万元
- 项目类别：面上项目
AlN陶瓷基板及其表面仿生润湿微结构磨削加工机理
- 批准号：
- 批准年份：2021
- 资助金额：10.0 万元
- 项目类别：省市级项目
相似海外基金
スマートウィンドウを目指したガラス基板上へのc-軸配向スピノーダル分解薄膜の作製
用于智能窗的玻璃基板上c轴取向旋节线分解薄膜的制备
- 批准号：
23K23038 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高性能ナノ結晶ダイヤモンド電極の金属基板上ダイレクト形成
在金属基底上直接形成高性能纳米晶金刚石电极
- 批准号：
24K07570 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
強誘電体基板上に成膜した強磁性薄膜における磁気特性の評価とその発現機構の解明
铁电基板上沉积的铁磁薄膜的磁性能评估及其表现机制的阐明
- 批准号：
24K08198 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
３Ｃ／４Ｈヘテロエピ基板を用いた高信頼・高移動度ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴ製作
使用3C/4H异质外延衬底生产高可靠性和高迁移率SiC功率MOSFET
- 批准号：
24K08267 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
多結晶シリコン基板を用いたⅢ族窒化物半導体面状発光デバイスの開発に関する研究
使用多晶硅衬底的III族氮化物半导体平面发光器件的开发研究
- 批准号：
24K07603 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
基板表面性状制御によるニッケル酸化物薄膜の高濃度水素貯蔵性能の創出
通过控制基材表面性质创造高浓度氧化镍薄膜储氢性能
- 批准号：
24K08248 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Si基板上GaAs系ナノワイヤの大容量分子線エピタキシャル成長と光電変換応用
Si衬底上大容量GaAs纳米线分子束外延生长及光电转换应用
- 批准号：
24KJ0323 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高分子基板の無電解めっきで形成される高分子‐金属境界領域の3次元ナノ構造制御
聚合物基底化学镀形成的聚合物-金属边界区域的三维纳米结构控制
- 批准号：
24K08533 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体基板の絶対厚さ及び厚さむらの高精度測定を目指したハイブリッド干渉計の開発
开发混合干涉仪，旨在高精度测量半导体基板的绝对厚度和厚度不均匀性
- 批准号：
24K17189 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
超高周波帯域における集積回路基板近傍の磁界分布可視化法の開発
开发一种可视化超高频段集成电路板附近磁场分布的方法
- 批准号：
23K26120 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)