Study of low-temperature formation of group IV nanodots made by use of Bi surfactant and its device application
Study of low-temperature formation of group IV nanodots made by use of Bi surfactant and its device application
Bi表面活性剂低温形成IV族纳米点的研究及器件应用
批准号：
26420264
负责人：
Hiroshi Okamoto
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(14)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Radical-Enhanced ALD法によって形成したAlジャーマネイト/Ge界面とその近傍の欠陥評価
自由基增强 ALD 法形成的 Al 锗石/Ge 界面及其附近的缺陷评估
自由基增强 ALD 法形成的 Al 锗石/Ge 界面及其附近的缺陷评估
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[成田英史, 山田大地, 福田幸夫, 鹿糠洋介, 岡本浩]
通讯作者：
岡本浩
Radical-enhanced ALD法によるGe-MIS構造の欠陥評価価(2);熱処理効果
自由基增强ALD法对Ge-MIS结构的缺陷评价值（2）；
自由基增强ALD法对Ge-MIS结构的缺陷评价值（2）；
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[成田 英史, 山田 大地, 福田 幸夫, 岡本 浩]
通讯作者：
岡本 浩
ナノ構造の製造方法
纳米结构的制造方法
纳米结构的制造方法
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Self-Organized Nanostructure Formation of III-V and IV Semiconductors with Bismuth
用铋自组织形成 III-V 和 IV 半导体纳米结构
用铋自组织形成 III-V 和 IV 半导体纳米结构
DOI：
10.22606/jan.2016.12005
发表时间：
2016
期刊：
Journal of Advances in Nanomaterials
影响因子：
--
作者：
[Yingjie Liao, Takeshi Fukuda, Suxiao Wang, 福田 武司, Takeshi Fukuda, 福田 武司, Hiroshi Okamoto]
通讯作者：
Hiroshi Okamoto
Bi プレディポジションによる Ge ナノドットの 石英基板上への低温形成
利用 Bi 预沉积在石英基底上低温形成 Ge 纳米点
利用 Bi 预沉积在石英基底上低温形成 Ge 纳米点
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鈴木良優, 滝田健介, 俵毅彦, 舘野功太, 章国強, 後藤秀樹, 岡本浩]
通讯作者：
岡本浩
共 13 条
海外基金