Ab-initio Berechnung des elektronischen Spektrums von Halbleiterlegierungen mit großer Bandlücke

大禁带半导体合金电子能谱的从头算

• 批准号: 5196906
• 负责人: Professor Dr. Johannes Pollmann
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Festkörpertheorie
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5196906?language=en
• 关键词: Ab; initio; Berechnung; des; elektronischen

Ziel des vorliegenden Projektes ist die theoretische Beschreibung der elektronischen Eigenschaften von Halbleiterlegierungen, wie etwa AltGa(1-t)N oder ZntCd(1-t)Te mit ab-initio Methoden. Besonders interessiert uns die Abhängigkeit des elektronischen Spektrums und der fundamentalen Energielücke von der Zusammensetzung des Mischkristalls aus seinen Komponenten. Wegen der willkürlichen Anordnung der chemischen Elemente im Mischkristall erweisen sich diese Fragestellungen als eine große konzeptionelle Herausforderung. Aufbauend auf einer quantitativ zuverlässigen Beschreibung der zugrunde liegenden Ausgansmaterialien (z.B. AlN und GaN im Falle von AltGa(1-t)N), sollen verschiedene Näherungsverfahren zur Behandlung des Mischkristalls entwickelt und auf ihre Gültigkeit hin überprüft werden. Mit diesen Methoden sollen verschiedene Legierungen von III-V und II-VI Verbindungshalbleitern, besonders solche mit großen Bandlücken (Wide-Band-Gap Materialien), untersucht werden. Wir erhoffen uns aus diesen Studien wichtige Erkenntnisse über die Eigenschaften solcher Legierungen, die für die Entwicklung optoelektronischer Bauelemente wie etwa Leucht- und Laserdioden von großer Bedeutung sind.

这两个前向课题是用从头算方法对半导体器件的电子本征值进行理论研究的，如对Ga（1-t）N或Zn（1-t）Cd的电子本征值。Besonders interessiert uns die Abhängigkeit des elektronischen Spektrums und der fundamentalen Energielücke von der Zusammensetzung des Mischkristalls aus seinen Komponenten. Wegen der willkürlichen Anordnung der chemischen Elemente im Mischkristall erweisen sich diese Fragestellungen als eine greße konzeptionelle Herausforderung. Aufbauend auf einer quantitativ zuverlässigen Beschreibung der zugenden Ausgansmaterialien（z.B. AlN和GaN在AltGa（1-t）N中的缺陷，解决了混合晶体的处理和在韦尔登上的缺陷。用这种方法可以对III-V和II-VI族的化合物进行测试，最好用大能带隙材料（Bandlücken）来测试韦尔登。Wir erhoffen uns aus diesen wichtige Erkenntnisse über die Eigenschaften solcher Legierungen，die für die Entwicklung optoelektronischer Bauelemente wie etwa Leucht- und Laserdioden von großer Bedeutung sind.