Strukturelle und elektronische Eigenschaften reiner und adsorbatbedeckter Oberflächen von kubischem und hexagonalem Siliziumkarbid

碳化硅（SiC）是一种非常有趣的新型半导体材料，具有极高的应用潜力，可用于光电器件和电子设备。Für die Realisierung und Optimierung solcher Anwendungen ist eine möglichst präzise Kenntnis der elektronischen und strukturellen Eigenschaften von SiC Oberflächen und Grenzflächen von herausragender Bedeutung. HauptestiesVorhabens sind daher ab-initio Berechnungen elektronischer und struktureller Eigenschaften von reinen und adsorbatbedeckten kubischen und hexagonalen SiC Oberflächen，für die in allerjüngster Zeit viele experimentelle Ergebnisse der hochauflösenden Oberflächenspektroskopie und -mikroskopie verfügbar geworden sind.这是一个巨大的Zahl，它是由原子结构和电子特性组成的系统。该实验在一个非常复杂的发展过程中被发现，在下一个世纪也会有一个更好的数据。这是一个很大的问题，首先是对SiC的极化Oberflächen和Grenzflächen进行定量分析，然后与实验组合作解释新的数据。

Siliziumkarbid (SiC) ist ein sehr interessantes, neues Halbleitermaterial mit extrem vielversprechendem Potential für zahlreiche Anwendungen im Bereich elektrooptischer Bauelemente und in der Hochleistungselektronik. Für die Realisierung und Optimierung solcher Anwendungen ist eine möglichst präzise Kenntnis der elektronischen und strukturellen Eigenschaften von SiC Oberflächen und Grenzflächen von herausragender Bedeutung. Hauptziel dieses Vorhabens sind daher ab-initio Berechnungen elektronischer und struktureller Eigenschaften von reinen und adsorbatbedeckten kubischen und hexagonalen SiC Oberflächen, für die in allerjüngster Zeit viele experimentelle Ergebnisse der hochauflösenden Oberflächenspektroskopie und -mikroskopie verfügbar geworden sind. Die vorliegenden Ergebnisse werfen allerdings noch eine große Zahl von Fragen bezüglich der atomaren Struktur und der elektronischen Eigenschaften dieser Systeme auf. Die experimentellen Untersuchungen befinden sich derzeit in einer derart stürmischen Entwicklung, daß auch in den nächsten Jahren mit einer Fülle weiterer Daten zu rechnen ist. Es ist daher das Ziel dieses Vorhabens, möglichst quantitative ab-initio Studien von polaren Oberflächen und Grenzflächen von SiC durchzuführen und in Kooperation mit experimentellen Gruppen die jeweils neuesten Daten zu interpretieren.