Strukturelle und elektronische Eigenschaften reiner und adsorbatbedeckter Oberflächen von kubischem und hexagonalem Siliziumkarbid

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Siliziumkarbid (SiC) ist ein sehr interessantes, neues Halbleitermaterial mit extrem vielversprechendem Potential für zahlreiche Anwendungen im Bereich elektrooptischer Bauelemente und in der Hochleistungselektronik. Für die Realisierung und Optimierung solcher Anwendungen ist eine möglichst präzise Kenntnis der elektronischen und strukturellen Eigenschaften von SiC Oberflächen und Grenzflächen von herausragender Bedeutung. Hauptziel dieses Vorhabens sind daher ab-initio Berechnungen elektronischer und struktureller Eigenschaften von reinen und adsorbatbedeckten kubischen und hexagonalen SiC Oberflächen, für die in allerjüngster Zeit viele experimentelle Ergebnisse der hochauflösenden Oberflächenspektroskopie und -mikroskopie verfügbar geworden sind. Die vorliegenden Ergebnisse werfen allerdings noch eine große Zahl von Fragen bezüglich der atomaren Struktur und der elektronischen Eigenschaften dieser Systeme auf. Die experimentellen Untersuchungen befinden sich derzeit in einer derart stürmischen Entwicklung, daß auch in den nächsten Jahren mit einer Fülle weiterer Daten zu rechnen ist. Es ist daher das Ziel dieses Vorhabens, möglichst quantitative ab-initio Studien von polaren Oberflächen und Grenzflächen von SiC durchzuführen und in Kooperation mit experimentellen Gruppen die jeweils neuesten Daten zu interpretieren.