Theoretische Studien Elektronischer und Struktureller Eigenschaften von Gruppe III-Nitriden sowie ihrer Oberflächen und Grenzflächen
Theoretische Studien Elektronischer und Struktureller Eigenschaften von Gruppe III-Nitriden sowie ihrer Oberflächen und Grenzflächen
批准号:
5372171
负责人:
Professor Dr. Johannes Pollmann
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Priority Programmes
财政年份:
1997
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1996-12-31 至 2000-12-31
中文摘要
这些研究是III族氮化物的一种最大的定量电子和结构特征,它们是在准带状结构理论的GW Näherung的局部Dichte近似中的Oberflächen和Heterostrukturen。LDA的解决方案是通过韦尔登波来实现新的自适应和弛豫的赝势。Sowohl Volumenkristalle also auch Oberflächen,Adsorbatsysteme und Heterostrukturen dieser Materialclasse sollen studiert韦尔登. III族氮化物及其异质结构韦尔登具有巨大的技术潜力。Die Anwendungen reichen von lichtemittierenden Dioden und Halbleiterlasern im bluen und ultravioletten Spekträchreich über Hochtemperatur-,Hochemistungs- und Hochfrezbauelemente bis hin zu grosflächigen Displays.对于一个基本的现象解释和一个对过程的巨大影响,在这个早期的光谱中,这是一个最重要的物理特性,它是第三代氮化物离子群的物理特性,它具有更大的带宽,吸附系统和异质结构,是一个不受限制的Voraussetzung。
英文摘要
Ziel dieses Forschungsvorhabens ist eine möglichst quantitative Berechnung elektronischer und struktureller Eigenschaften von Gruppe III-Nitriden, ihren Oberflächen und Heterostrukturen im Rahmen der lokalen Dichteapproximation der Dichtefunktionaltheorie sowie im Rahmen der GW Näherung der QuasiteilchenBandstrukturtheorie. Die LDA Rechnungen sollen insbesondere unter Verwendung neuer selbstwechselwirkungs- und relaxationskorrigierter Pseudopotentiale durchgeführt werden. Sowohl Volumenkristalle als auch Oberflächen, Adsorbatsysteme und Heterostrukturen dieser Materialklasse sollen studiert werden. Gruppe III-Nitride und ihre Heterostrukturen werden aufgrund ihres großen technologischen Potentials derzeit weltweit intensiv untersucht. Die Anwendungen reichen von lichtemittierenden Dioden und Halbleiterlasern im blauen und ultravioletten Spektralbereich über Hochtemperatur-, Hochleistungs- und Hochfrequenzbauelemente bis hin zu großflächigen Displays. Für ein grundlegendes Verständnis der Phänomene und eine gezielte Beeinflussung der Prozesse, die in diesem breiten Spektrum von Anwendungen zum Tragen kommen, ist eine möglichst präzise Kenntnis der physikalischen Eigenschaften der recht ionischen Gruppe III-Nitride mit ihrer großen Bandlücke sowie ihrer Oberflächen, Adsorbatsysteme und Heterostrukturen eine unabdingbare Voraussetzung.
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会议论文
Metallisierung von SiC Oberflächen durch Wasserstoff-Adsorption
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批准号:5454629
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2005
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负责人:Professor Dr. Johannes Pollmann
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依托单位:
Ab-initio Berechnung des elektronischen Spektrums von Halbleiterlegierungen mit großer Bandlücke
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批准号:5196906
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1999
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负责人:Professor Dr. Johannes Pollmann
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依托单位:
Strukturelle und elektronische Eigenschaften reiner und adsorbatbedeckter Oberflächen von kubischem und hexagonalem Siliziumkarbid
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批准号:5376184
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1997
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负责人:Professor Dr. Johannes Pollmann
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依托单位:
海外基金