Rastersondenlithographie

[0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0]麻省理工学院Rastertunnelmikroskop kann z.b.e eine nieder能量-电子环境-光刻实现器werden， die Strukturgrößen在10nm以下的精度。每个模具的机构修改von Strukturen im Rasterkraftmikroskop konnte sich ähnliche Größenbereiche erschließen，其中，Kunststoffe wie Polycarbonat als Medium bewährt haben。在diesem auf die Massenspeicherung von abzielenenden Bereich中，Lesegeschwindigkeiten mitdem RKM erreicht中，die berdenen von CD-Laufwerken liegen。在der Grundlagenforschung können dieese Methoden einterseits als Instrumente fr die Untersuchung和Aufklärung neuer Möglichkeiten der nanostruckturierung eingesetzt werden， die durch Modifikationen auf convelonelle Techniken <e:1> bertragbar sinh。因此，verde demonstriert, dasß ein directes Schreiben von kohlenston - lithography asken sowohl in RKM unter zusätzlicher Einwirkung eines elektrischen Feldes als auth in RTM möglich ist。印刷技术公司eröffnet eine direcrekte verkn<e:1>技术公司常规光刻技术与prozessen。【关键词】纳米结构；选择性化学；气相化学；2 .光刻技术，光刻技术，光刻技术，光刻技术

Veröffentlichungen der letzten Jahren haben zunehmend neue Wege in der Nanostrukturierung unter Verwendung von Rastersondenmethoden aufgezeigt. Mit dem Rastertunnelmikroskop kann z.B. eine Niederenergie-Elektronenstrahl-Lithographie implementiert werden, die Strukturgrößen unter 10nm erreicht. Auch die mechanische Modifikation von Strukturen im Rasterkraftmikroskop konnte sich ähnliche Größenbereiche erschließen, wobei sich hier besonders Kunststoffe wie Polycarbonat als Medium bewährt haben. In diesem auf die Massenspeicherung von Daten abzielenden Bereich wurden bereits Lesegeschwindigkeiten mit dem RKM erreicht, die über denen von CD-Laufwerken liegen. In der Grundlagenforschung können diese Methoden einerseits als Instrumente für die Untersuchung und Aufklärung neuer Möglichkeiten der Nanostrukturierung eingesetzt werden, die durch Modifikationen auf konventionelle Techniken übertragbar sind. So wurde demonstriert, daß ein direktes Schreiben von Kohlenstoff-Lithographiemasken sowohl im RKM unter zusätzlicher Einwirkung eines elektrischen Feldes als auch im RTM möglich ist. Diese Technik eröffnet eine direkte Verknüpfung mit konventionellen Lithographie-Techniken und -Prozessen. Aufgrund unserer Erkenntnisse aus den Vorarbeiten und der neuen Literatur sowie den Vorhaben der Forschergruppe zur Strukturierung von selbstorganisierenden Schichten schlagen wir für dieses Teilprojekt zwei neue Wege zur Erzeugung von Nanostrukturen vor: die selektive chemische Gasphasenabscheidung auf im e-RKM und im RTM vorstrukturierten Halbleitersubstraten; die Herstellung von Masken durch Oxidation von Kohlenstoffschichten im e-RKM für nachfolgende Lithographieschritte.