Magnetische Nanostrukturen

在这一研究中，磁本征函数的物理框架在一个点阵列韦尔登中有小的铁磁Teilchen和微电子学Teilchen解。Voraussetzung是指从Teilchen的Solchen点阵列中的发射，在10 nm的Reichen Sollen下，在电子Größeneffekte和非线性Kopplungseffekte韦尔登中发射Abmessungen和Abstände。这两种方法都是有效的。sollen entwickelt韦尔登：- Über Maskentechnologie soll mit Hilfe der Elektronenstrahlithographie ein Größenbereich bis zu 20-30 nm erschlossen韦尔登.这种技术通过他们的灵活性来实现。通过单克隆抗体，自组织蛋白质，使其外侧结构变为韦尔登3 nm。这种自组织的Schichten产生规则的Gitterstrukturen，这种规则的Gitterstrukturen在铁磁点阵列上产生。韦尔登解决了一个Teilchen和阵列的磁本征值问题，这些阵列在Hinblick上具有磁各向异性和Kopplungen，并且在小Teilchen上具有影响电子Größeneffekten。

In diesem Forschungsvorhaben sollen Untersuchungen zu grundlegenden, physikalischen Fragen zu magnetischen Eigenschaften kleiner ferromagnetischer Teilchen und der Wechselwirkung solcher Teilchen in einem Dot-Array angestellt werden. Voraussetzung ist dabei die Herstellung von solchen Dot-Arrays aus Teilchen, deren Abmessungen und Abstände bis in den Bereich unter 10 nm reichen sollen, in dem elektronische Größeneffekte und indirekte Kopplungseffekte wirksam werden. Zwei Verfahren sind dabei vorgesehen, bzw. sollen entwickelt werden:- Über Maskentechnologie soll mit Hilfe der Elektronenstrahllithographie ein Größenbereich bis zu 20-30 nm erschlossen werden. Diese Technik zeichnet sich vor allem durch ihre flexiblen Einsatzmöglichkeiten aus.- Mit Masken aus monolagigen, selbstorganisierten ProteinSchichten sollen laterale Strukturbreiten bis zu 3 nm erreicht werden. Diese selbstorganisierenden Schichten bilden regelmäßig ordnende Gitterstrukturen, die sich auf die ferromagnetischen Dot-Arrays übertragen lassen.Untersucht werden sollen die magnetischen Eigenschaften der einzelnen Teilchen und der Arrays vor allem im Hinblick auf magnetische Anisotropien und Kopplungen und auf den Einfluß elektronischer Größeneffekten bei sehr kleinen Teilchen.