Tunnelmagnetowiderstandselemente mit Schottky-Kontakten auf Halbleitern

半导体上具有肖特基接触的隧道磁阻元件

• 批准号: 5424408
• 负责人: Professor Dr. Günter Reiss
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe Dünne Schichten und Physik der Nanostrukturen
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2003-12-31 至 2007-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5424408?language=en
• 关键词: Tunnelmagnetowiderstandselemente; mit; Schottky; Kontakten; auf

In magnetischen Tunnelelementen tritt eine starke Abhängigkeit des Tunnelwiderstandes von der relativen Orientierung der Magnetisierungen der beiden ferromagnetischen Elektroden auf. Dieser "TMR-Effekt" wurde in den letzten Jahren durch intensive weltweite Forschungsarbeiten auf Werte bis zu ca. 60% (für Elektroden aus 3d-Ferromagneten) bei Raumtemperatur getrieben, wobei die Grenze des TMR für vorgegebene Materialkombinationen nach wie vor nicht klar ist. Bringt man solche Tunnelelemente auf einen Halbleiter als Substrat, so kann sich an der Grenzfläche zwischen der ferromagnetischen Elektrode und dem Halbleiter eine Schottky-Barriere aufbauen. Über diese können Elektronen, die über die Tunnelbarriere durch die Elektrode ballistisch bis zur Schottky-Barriere gelangen als Kollektorstrom hinwegkommen, wenn ihre Energie (d.h. die angelegte Tunnelspannung) groß genug ist. Im Kollektorstrom tritt zudem ebenfalls ein "Magnetowiderstand" auf, d.h. die Zahl der Elektronen, die ohne Energieverlust zur Schottkybarriere gelangen, hängt drastisch von der relativen Orientierung der Magnetisierungen der ferromagnetischen Elektroden ab.

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