Magnetische Mehrfach-Tunnelelemente

磁性多隧道元件

• 批准号: 5389327
• 负责人: Professor Dr. Günter Reiss
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe Dünne Schichten und Physik der Nanostrukturen
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2006-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5389327?language=en
• 关键词: Magnetische; Mehrfach; Tunnelelemente

Magnetische Tunnelelemente, bei denen zusätzliche, dünne meist metallische Zwischenschichten durch mehrere Potentialbarrieren eingeschlossen sind, wurden bisher nur in wenigen Arbeiten experimentell erforscht. Derartige Strukturen wären aber von großem Interesse, da sie nach theoretischen und ersten experimentellen Untersuchungen einerseits ballistischen Transport von Elektronen sowie sog. Quantum Well States und damit verbunden Resonanzeffekte im Tunnelstrom zeigen können, deren Auswirkung auf den TMR noch völlig unerforscht ist. Darüber hinaus sollte es mit derartigen Systemen möglich sein, mehr als zwei stabile magnetische und magnetoresistive Zustände in einem Element zu realisieren, was auch für die Anwendung von Interesse sein kann. Im hier beantragten Vorhaben sollen daher - basierend auf bereits realisierten Einzelelementen mit TMR-Werten bis zu 50% - Tunnelelemente mit zunächst zwei und im weiteren Verlauf drei Potentialbarrieren realisiert werden. Schwerpunkt dieser präparativen Arbeiten wird es sein, möglichst dünne metallische Zwischenschichten geschlossen herzustellen. Nach eingehenden strukturellen Charakterisierungen sollen vor allem die StromSpannungskennlinien und die Magnetotransporteigenschaften der Elemente von Raumtemperatur bis zu 4 K untersucht und interpretiert werden. Gegebenenfalls sollen zusätzliche Untersuchungen bis zu 20 mK in einer Kooperation mit IFW Dresden durchgeführt werden.

磁隧道元件，在使用中，由于许多潜在的屏障，它会导致金属的弯曲，这在以后的实验中是很困难的。Derartige Strukturen wären aber von großem Interesse，da sie nach theoretischen and ersten experimentellen Untersuchungen einerseits ballistischen Transport von Elektronen sowie sog.量子阱态和在隧道中产生的共振效应，在TMR上的激励作用还有待进一步研究。Darüber hinaus sollte es mit derartigen Systemen möglich sein，梅尔als zwei stable magnetische and magnetoresistive Zustände in einem Element zu realisieren，was auch für die Anwendung von Interesse sein kann.在这种情况下，我们必须考虑使用TMR-Werten bis zu 50%的隧道元件实现一个元件，该元件具有两个和三个潜在的实现韦尔登的可能性。Schwerpunkt dieser präparativen Arbeiten wird es sein，möglichst dünne metallische Zwischenschichten geschlossen herzustellen.在一个简单的结构特性下，所有的磁通量跨线和磁场输运元件都能在4 K的室温下工作并解释韦尔登。Gegebenenfalls sollen zusätzliche Untersuchungen bis zu 20 mK in einer koperation mit IFW Dresden durchgeführt韦尔登.