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Ladungstransport in Metallclustern auf Oberflächen bei tiefen Temperaturen

Ladungstransport in Metallclustern auf Oberflächen bei tiefen Temperaturen
低温表面金属团簇的电荷传输
批准号:
5201086
负责人:
Dr. Viola Rank
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
1999
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1998-12-31 至 2002-12-31

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项目成果

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Abnehmende Strukturgrößen in der Technologie elektronischer Bauelemente erfordern die grundlegende Untersuchung der Leitungsprozesse im Nanometer- und Subnanometerbereich. Bestehen die betrachteten Strukturen nur aus wenigen Atomen, geht der kontinuierliche Ladungstransport in einen durch Quantisierung bestimmten Leitungsprozeß über. Im beantragten Projekt soll die elektrische Leitfähigkeit von Metallclustern auf Oberflächen untersucht werden. Dazu sind die Teilchen in einer leistungsfähigen Plasmaquelle zu erzeugen, mit einem Massenspektrometer zu selektieren und mit niedriger kinetischer Energie zu deponieren. Die Proben werden unter UHV-Bedingungen zu einem Tieftemperatur-Raster-Tunnel-Mikroskop transferiert und bei Temperaturen bis hinunter zu 5K untersucht. Mit Hilfe der Raster-TunnelSpektroskopie soll die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der Clustergröße, dem Substratkontakt und den gewählten Materialsystem unter Berücksichtigung der Temperaturabhängigkeit der untersuchten Eigenschaften bestimmt werden. Mit der Verwendung supraleitender Tunnelsonden werden wir versuchen, ihren Einfluß auf die Leitfähigkeitsspektren zu untersuchen.
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