Rouphering and Development of lateral structuring in molecular beam epitaxy

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Zwei zentrale Probleme bei der Molekularstrahlepitaxie (MBE) sind das Aufrauhen des Materials und das Ausbilden lateraler 'vizinaler Facetten', die ein homogenes Wachstum monoatomarer Schichten verhindern. In technischen Anwendungen versucht man, diese Situation zu umgehen, indem man die Verfahren auf bestimmte Materialien, Temperatur- und Intensitätsbereiche beschränkt. Das geplante Forschungsvorhaben soll einen Beitrag dazu leisten, die zugrunde liegenden Prozesse zu verstehen, um sie dann auch technisch kontrollieren zu können. Konzentrieren werden wir uns zunächst darauf, die Dynamik des Aufrauhens in Abhängigkeit von Schwoebel-Effekt, der in den meisten interessierenden Materialien auftritt, zu untersuchen. Ein genaues Verständnis der Bildung sowie des Langzeitverhaltens der entstehenden lateralen Strukturen ist Gegenstand des zweiten Projektteils. Endziel ist es, die inhärenten Instabilitäten des Wachtstumsprozesses soweit zu verstehen, daß sie sich zur Erzeugung lateraler Strukturen gezielt nutzen lassen.