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化合物半導体ヘテロ接合界面の深い準位に関する研究

化合物半导体异质结界面深能级研究

基本信息

批准号：
59550205
负责人：
大野英男
金额：
$ 1.73万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1984
资助国家：
日本
起止时间：
1984 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-59550205/
关键词：

项目摘要

项目成果

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